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卢星

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 22篇氧化镓
  • 11篇半导体
  • 10篇晶体管
  • 6篇二极管
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇肖特基
  • 5篇耐压
  • 5篇沟道
  • 4篇压电
  • 4篇压电薄膜
  • 4篇势垒
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电场
  • 3篇电阻
  • 3篇压电层
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇漏电流
  • 3篇滤波器

机构

  • 34篇中山大学

作者

  • 34篇卢星
  • 32篇王钢
  • 17篇裴艳丽
  • 1篇周涛
  • 1篇张志鹏

年份

  • 6篇2024
  • 6篇2023
  • 10篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2008
  • 1篇1991
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法
本发明公开了一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法，涉及半导体器件在生物检测中的应用技术。针对现有电解质栅薄膜晶体管型生物传感器技术中，电场作用下电解质溶液中的离子会通过电化学作用侵蚀有源层而导致器件性能不稳定的...
裴艳丽容浩峰陈梓敏卢星王钢
文献传递
一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法
本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，更具体地，涉及一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法。采用阴离子氟离子注入，通过调节离子注入机的注入剂量实现施主浓度调控；通过调节离子注入的注入能量和注入步骤实现施主空间分...
裴艳丽苏丹妮卢星王钢
一种MOCVD加热元件
本发明公开一种MOCVD加热元件，包括电热体，所述电热体被配置为弯曲并形成有拐角段；其中，所述拐角段具有拐角；所述拐角段上配置有面积增大部，用于增加拐角处的面积；所述面积增大部具有至少一个周期性起伏部，所述至少一个周期性...
裴艳丽罗铁成王钢陈梓敏卢星
氧化镓在压电材料上的应用及压电薄膜、压电器件
本发明公开了氧化镓在压电材料上的应用及压电薄膜、压电器件，涉及压电材料技术。针对现有技术在压电材料选择中对压电系数的技术偏见提出本方案，ε相氧化镓在压电材料上的应用。压电薄膜由ε相氧化镓制成。应用ε相氧化镓的压电器件。优...
陈梓敏卢星王钢
文献传递
一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法
本发明公开了一种优化横向氧化镓功率器件表面电场的结构及制备方法，该结构包括：包括衬底、n型氧化镓沟道层、源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层，所述衬底与n型氧化镓沟道层连接，所述源极、漏极、p型氧化物半导体层和栅叠层设...
邓郁馨卢星徐童龄王钢陈梓敏
文献传递
一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓的p型掺杂困难，以及栅介质制备难度大和栅控特性差等不足的问题提出本方案。在三维鳍式沟道结构两侧填充p型氧化物半导体层形成...
卢星王钢裴艳丽陈梓敏
文献传递
一种零质量负载效应的SAW器件及其制备方法
本发明公开了一种零质量负载效应的SAW器件及其制备方法，涉及新一代信息技术，针对现有技术中金属IDT带来的质量负载效应问题提出本方案。SAW器件包括衬底以及压电薄膜；压电薄膜表面通过负离子注入的方式诱导出图形化的二维电子...
卢星张志鹏张俊祺陈梓敏王钢
一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法，针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层，使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点...
徐童龄卢星邓郁馨王钢陈梓敏
文献传递
一种用于调控氧化镓半导体表层电导的方法及半导体晶圆
本发明公开了一种用于调控氧化镓半导体表层电导的方法及半导体晶圆，涉及半导体电导调控技术。针对现有技术中表面电导控制困难的问题提出本方案，利用氟基离子对氧化镓晶圆的表层进行处理。优点在于，可以实现对氧化镓晶圆的表层电导有效...
卢星罗浩勋陈梓敏裴艳丽王钢
文献传递
一种基于ε相氧化镓薄膜的SAW滤波器及其制备方法
本发明公开了一种基于ε相氧化镓薄膜的SAW滤波器及其制备方法，涉及半导体技术，针对现有技术中强依赖于光刻精度控制指宽的问题提出本方案。在所述并联谐振器或串联谐振器上方还铺设有一覆盖层，所述覆盖层的声速大于压电薄膜的声速；...
王钢罗稼宏卢星陈梓敏黄琛泓涂雨佳
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