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吴锦壁

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇弱酸
  • 4篇刻蚀
  • 3篇电极
  • 3篇湿法刻蚀
  • 3篇发光
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电流扩展
  • 2篇弱酸溶液
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇平板显示
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇发光器件
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体发光器...
  • 2篇TCL
  • 1篇电极结构
  • 1篇电流
  • 1篇电流分布

机构

  • 5篇中山大学

作者

  • 5篇江灏
  • 5篇吴锦壁
  • 5篇王钢
  • 5篇裴艳丽
  • 5篇范冰丰

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种雪花状LED电极结构
本发明公开了一种雪花状LED电极结构，其中包括有：至少一个接触部分与至少一个交叉部分，所述交叉部分穿过所述接触部分且对称分布在接触部分的两侧；所述交叉部分上向外延伸有延伸部分，且所述延伸部分对称分布于交叉部分两侧。本发明...
江灏吴锦壁裴艳丽范冰丰王钢
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一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法
本发明公开了一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法，其中包括衬底及生长在衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包括：N型层、MQWS层、P型层及ZnO-TCL层；经过湿法刻蚀后，N型层的上表面还蒸镀有...
裴艳丽吴锦壁江灏范冰丰王钢
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一种ZnO基透明导电薄膜湿法刻蚀方法
本发明公开了一种ZnO基透明导电薄膜湿法刻蚀方法。包括如下步骤：沉积了ZnO基透明导电薄膜的衬底涂布光刻胶；进行曝光、显影，去除部分光刻胶，使得待刻蚀衬底暴露在外；对其进行烘烤；通过弱酸和去离子水配比形成弱酸溶液；上述待...
裴艳丽吴锦壁江灏范冰丰王钢
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一种ZnO基透明导电薄膜湿法刻蚀方法
本发明公开了一种ZnO基透明导电薄膜湿法刻蚀方法。包括如下步骤：沉积了ZnO基透明导电薄膜的衬底涂布光刻胶；进行曝光、显影，去除部分光刻胶，使得待刻蚀衬底暴露在外；对其进行烘烤；通过弱酸和去离子水配比形成弱酸溶液；上述待...
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一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法
本发明公开了一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法，其中包括衬底及生长在衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包括：N型层、MQWS层、P型层及ZnO-TCL层；经过湿法刻蚀后，N型层的上表面还蒸镀有...
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