您的位置： 专家智库 > >

袁龙炎

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电子源
  • 4篇纳米
  • 4篇催化
  • 4篇催化剂
  • 3篇氧化物
  • 3篇金属
  • 2篇掩模
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇碳纳米管阵列
  • 2篇冷阴极
  • 2篇纳米带
  • 2篇纳米管
  • 2篇纳米管阵列
  • 2篇金属催化剂
  • 2篇过渡金属
  • 2篇过渡金属催化
  • 2篇过渡金属催化...
  • 2篇复合场
  • 2篇场发射阴极
  • 1篇电子发射

机构

  • 6篇武汉大学

作者

  • 6篇袁龙炎
  • 5篇方国家
  • 4篇李春
  • 4篇刘逆霜
  • 2篇杨晓霞
  • 1篇盛苏

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种复合场致电子发射材料及其制备方法和用途
本发明涉及一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧...
方国家李春袁龙炎刘逆霜
文献传递
氧化铪/氮氧化铪栅介质金属氧化物薄膜晶体管的研制
薄膜晶体管(TFT)作为平板液晶显示器中的核心元件,在提高液晶显示器的显示性能及拓宽显示应用领域上具有举足轻重的地位。传统的非晶硅有源层薄膜晶体管器件由于迁移率较低(-1 cm2／V·s),受可见光影响较大,且价格居高不...
袁龙炎
关键词：薄膜晶体管金属氧化物半导体
文献传递
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1－10分钟，得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理...
方国家李春刘逆霜杨晓霞袁龙炎
文献传递
一种复合场致电子发射体及其制备方法和用途
本发明涉及一种复合场致电子发射体，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射体的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧化...
方国家李春袁龙炎刘逆霜
文献传递
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1-10分钟，得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理...
方国家李春刘逆霜杨晓霞袁龙炎
文献传递
p型ZnO薄膜研究进展被引量：6
2006年
ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
盛苏方国家袁龙炎
关键词：ZNO薄膜P型掺杂
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0