2024年8月27日
星期二
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
袁龙炎
作品数:
6
被引量:6
H指数:1
供职机构:
武汉大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
理学
更多>>
合作作者
方国家
武汉大学物理科学与技术学院声光...
刘逆霜
武汉大学
李春
武汉大学
杨晓霞
武汉大学
盛苏
武汉大学物理科学与技术学院声光...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
4篇
专利
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
2篇
电子电信
1篇
理学
主题
4篇
电子源
4篇
纳米
4篇
催化
4篇
催化剂
3篇
氧化物
3篇
金属
2篇
掩模
2篇
碳纳米管
2篇
碳纳米管阵列
2篇
冷阴极
2篇
纳米带
2篇
纳米管
2篇
纳米管阵列
2篇
金属催化剂
2篇
过渡金属
2篇
过渡金属催化
2篇
过渡金属催化...
2篇
复合场
2篇
场发射阴极
1篇
电子发射
机构
6篇
武汉大学
作者
6篇
袁龙炎
5篇
方国家
4篇
李春
4篇
刘逆霜
2篇
杨晓霞
1篇
盛苏
传媒
1篇
材料科学与工...
年份
1篇
2011
1篇
2010
1篇
2009
1篇
2008
1篇
2007
1篇
2006
共
6
条 记 录,以下是 1-6
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种复合场致电子发射材料及其制备方法和用途
本发明涉及一种复合场致电子发射材料,包括导电基底,以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体,基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为:在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒,在氧...
方国家
李春
袁龙炎
刘逆霜
文献传递
氧化铪/氮氧化铪栅介质金属氧化物薄膜晶体管的研制
薄膜晶体管(TFT)作为平板液晶显示器中的核心元件,在提高液晶显示器的显示性能及拓宽显示应用领域上具有举足轻重的地位。传统的非晶硅有源层薄膜晶体管器件由于迁移率较低(-1 cm2/V·s),受可见光影响较大,且价格居高不...
袁龙炎
关键词:
薄膜晶体管
金属氧化物半导体
文献传递
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法,包括:在导电基底上沉积氮化物阻挡层,采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模,再沉积催化剂层,形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1-10分钟,得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理...
方国家
李春
刘逆霜
杨晓霞
袁龙炎
文献传递
一种复合场致电子发射体及其制备方法和用途
本发明涉及一种复合场致电子发射体,包括导电基底,以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体,基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射体的制备方法为:在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒,在氧化...
方国家
李春
袁龙炎
刘逆霜
文献传递
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法,包括:在导电基底上沉积氮化物阻挡层,采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模,再沉积催化剂层,形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1-10分钟,得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理...
方国家
李春
刘逆霜
杨晓霞
袁龙炎
文献传递
p型ZnO薄膜研究进展
被引量:6
2006年
ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
盛苏
方国家
袁龙炎
关键词:
ZNO薄膜
P型掺杂
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张