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盛苏

作品数：2 被引量：10H指数：2
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇真空
  • 1篇真空退火
  • 1篇退火
  • 1篇宽带隙
  • 1篇PLD
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇GA
  • 1篇掺杂
  • 1篇沉积温度
  • 1篇P
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇N
  • 1篇ZNMGO

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇方国家
  • 2篇盛苏
  • 1篇李春
  • 1篇袁龙炎
  • 1篇赵兴中
  • 1篇陈志强

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Zn_(0．9)Mg_(0．1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究被引量：4
2006年
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8．12×10-4Ω·cm减小到4．74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象．
陈志强方国家李春盛苏赵兴中
关键词：沉积温度真空退火
p型ZnO薄膜研究进展被引量：6
2006年
ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
盛苏方国家袁龙炎
关键词：ZNO薄膜P型掺杂
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