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刘逆霜

作品数：18 被引量：15H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 15篇纳米
  • 6篇电子源
  • 6篇ZNO纳米
  • 6篇催化
  • 6篇催化剂
  • 5篇水热
  • 4篇掩模
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇冷阴极
  • 4篇纳米管
  • 4篇感器
  • 4篇场发射阴极
  • 3篇氧化锌纳米
  • 3篇水热法
  • 3篇热法
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇ZNO纳米线
  • 3篇ZNO纳米线...

机构

  • 18篇武汉大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 18篇刘逆霜
  • 17篇方国家
  • 8篇赵兴中
  • 7篇李春
  • 7篇艾磊
  • 4篇杨晓霞
  • 4篇袁龙炎
  • 4篇王明军
  • 3篇龙浩
  • 3篇王明军
  • 2篇李军
  • 1篇周海
  • 1篇黄晖辉
  • 1篇高慧敏
  • 1篇李军

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 7篇2007
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO纳米线阵列的图形化生长被引量：1
2007年
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
关键词：ZNO纳米线光刻水热合成
种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
2007年
用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌（ZnO）和掺铝氧化锌（AZO）薄膜，其可见光透射率达到85％以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒，x射线衍射分析（XRD）发现所制得的纳米棒都有（002）择优取向；扫描电子显微镜（SEM）结果表明，采用不同的实验条件和参数可以有效的影响纳米棒的长度、直径、密度等，并得到了垂直于衬底的纳米结构。用所得到的纳米结构制作太阳能电池的效率达到了0．26％。
王明军方国家艾磊刘逆霜高慧敏赵兴中
关键词：ZNO纳米棒水热法染料敏化太阳能电池
一种复合场致电子发射材料及其制备方法和用途
本发明涉及一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧...
方国家李春袁龙炎刘逆霜
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氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法，属于纳米器件领域。氧化锌纳米杆压力传感器包括不导电的柔性衬底、种子层、两金属电极和氧化锌纳米杆阵列；所述种子层沉积于柔性衬底上，所述金属电极沉积于种子层上，所述氧化锌纳...
方国家刘逆霜龙浩黄晖辉
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ZnO纳米线阵列的图形化生长
采用光刻和射频磁控溅射技术在 Si 衬底上制备了图形化的 ZnO 种子层薄膜．分别采用气相榆运和水热合成法,制备了最小单元为30μm 的图形化的 ZnO 纳米线阵列．X 射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的...
艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
关键词：光刻水热合成
文献传递
ZnO水热法边缘选择性生长在纳米器件方面的应用
通过在ZnO种子层上沉积一层钝化层，这样水热法所制备的纳米杆只会生长于边缘，来得到边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列。该方法能够生长出密度可调的ZnO纳米杆阵列及准平行的ZnO纳米杆阵列。具有适当密度的ZnO纳米杆阵列可以...
刘逆霜方国家周海赵兴中
关键词：氧化锌水热法场发射紫外探测器
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射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响
2007年
用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜，其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5％增加到50％，薄膜先是呈现（111）的择优取向，后是呈现（200）的取向，最后没有衍射峰出现，结构趋于无定型，于此同时，电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。
刘逆霜方国家王明军艾磊赵兴中
关键词：TIN氮分压电导率
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列。然后在火焰中烧1－10分钟，得到碳纳米管阵列场发射阴极。电场退火老化处理...
方国家李春刘逆霜杨晓霞袁龙炎
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场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法
本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，在基底上沉积低熔点金属层，再沉积催化剂层，形成低熔点金属-催化剂复合点阵。然后在火焰中烧1-10分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳...
方国家刘逆霜杨晓霞李春李军
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氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法
本发明公开了一种氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法。该传感器至少包括水平排列的氧化锌纳米杆和导电薄膜电极，其制备方法是利用传统光刻工艺在衬底上做出插指电极的光刻胶掩膜，然后在衬底上沉积一层对ZnO具有亲和力的种子层上再沉...
方国家刘逆霜龙浩
文献传递
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