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蔡二辉

作品数:3 被引量:13H指数:2
供职机构:南昌大学太阳能光伏学院更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇体硅
  • 2篇线锯
  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石线锯
  • 2篇晶体硅
  • 2篇刚石
  • 1篇电学
  • 1篇钝化
  • 1篇性能研究
  • 1篇少子寿命
  • 1篇硅片
  • 1篇

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇蔡二辉
  • 2篇周浪
  • 2篇汤斌兵
  • 1篇辛超
  • 1篇周剑

传媒

  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
晶体硅的金刚石线锯切割性能研究
金刚石线锯系为通过电镀的方式将金刚石颗粒固结镶嵌在钢丝表面的镀层上制成的一种线锯,以它切割硅片相比于传统的砂浆线锯切割有切割效率高,切割硅屑更容易回收,综合成本低等优势,有大规模应用的广阔前景,但业界对其切割硅片的表面质...
蔡二辉
关键词:晶体硅
金刚石线锯切割晶体硅模式研究被引量:6
2011年
通过单颗金刚石刻划晶体硅实验和金刚石线锯切割晶体硅片表面形貌观察,分析研究了金刚石线锯切割晶体硅的模式。结果表明:在较大正压力下刻划时,金刚石主要以脆性模式切割晶体硅,划痕呈破碎崩坑状,在单颗金刚石刻划实验条件下可看到脆性解理条纹;而在较小的压力下,金刚石主要以塑性模式切割晶体硅,划痕相对平直光滑;金刚石线锯切割晶体硅片时,硅片表面呈现大量由脆性断裂留下的不规则凹坑和较长的光滑划痕,显示出以脆性模式与塑性模式混合切割模式。分析其原因可能是由于切割过程中线锯正下方对晶体硅的压力较大,以脆性模式进行多颗粒反复刻划;而与此同时,线锯侧面金刚石颗粒以小得多侧向压力对切割暴露出的硅表面进行蹭磨刻划,因此产生塑性模式刻划。
蔡二辉汤斌兵周浪
关键词:金刚石线锯
晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响被引量:1
2011年
对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。
蔡二辉汤斌兵周剑辛超周浪
关键词:硅片少子寿命钝化
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