周剑
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响被引量：2
- 2013年
- 对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此深度时,抛光效果良好。多晶硅片抛光腐蚀深度会明显影响之后刻蚀显示的位错密度,较浅时得到的位错密度值将偏高,影响区的深度大于19μm。提出一个表征化学腐蚀抛光液新旧程度的参数——硅溶解系数K,给出了抛光腐蚀速率、抛光液表观色泽与K值之间的明确对应关系。
- 周剑辛超魏秀琴周潘兵周浪张运锋张美霞
- 关键词：抛光多晶硅片位错
- 高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响被引量：4
- 2011年
- 对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中位错密度的影响。结果证实：当退火温度在1 100℃及以下时,硅片的位错密度并没有降低反而增加了;当退火温度在1 320℃及以上时,硅片的位错密度明显降低,其幅度随温度提高增大;但退火后如断电随炉冷却而不控制冷却速率,位错密度又会提高。
- 辛超周剑周潘兵魏秀琴周浪张运锋张美霞
- 关键词：多晶硅硅片位错退火
- 晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响被引量：1
- 2011年
- 对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。
- 蔡二辉汤斌兵周剑辛超周浪
- 关键词：硅片少子寿命钝化
