王青
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金武器装备预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT传输电流模型研究被引量：2
- 2006年
- 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管PSPICE软件
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型
- 载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应,被称为扩散电容.在PSPICE模拟软件中,模型还不是很精确,本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容模型,使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电...
- 朱永刚戴显英李立宣荣喜王青崔晓英王顺祥
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 文献传递
- SiGe HBT发射极延迟时间模型
- 2005年
- 在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGeHBT发射极延迟时间的影响.
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英朱永刚王顺祥王伟崔晓英王青王喜媛
- 关键词：SIGEHBT势垒电容
- 溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaNMIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.
- 舒斌张鹤鸣王青黄大鹏宣荣喜
- 关键词：溶胶-凝胶
