王志超
- 作品数：10 被引量：43H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省科委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷被引量：3
- 1991年
- 本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8;在应变层之后是过渡层,厚度约为50。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。
- 王志超滕敏康刘吟春
- 关键词：正电子湮没多层膜
- 用PECVD法沉积α-C:H薄膜的研究
- 1992年
- 本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,利用化学反应平衡方程讨论了α-C:H膜的沉积机理以及[H]基对生成膜结构的影响。
- 顾书林何宇亮王志超孙剑程光熙
- 关键词：非晶碳膜金刚石PECVD法
- 非晶碳膜电子辐照性质的研究
- 1993年
- 使用不同剂量的电子束(1.0×10^(13)—6.0×10^(14)Rad,13Mev)对用PECVD法淀积的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构的实验结果表明:在此剂量强度范围内,辐照使非晶碳膜的结构和成分有不同程度的变化。同时金刚石和石墨的晶粒和成分也有一定的变化。从氢的激活作用角度对以上结果进行了解释。
- 顾书林何宇亮王志超
- 关键词：非晶碳膜淀积电子辐照
- 一种低温镀复金刚石薄膜的方法及设备
- 一种镀复金刚石薄膜的方法和设备，它是应用高频等离子体化学汽相沉积法以一氧化碳和氮气为气源，在衬底表面镀覆金刚石薄膜。用本发明的方法可以在室温至500℃温度下镀覆金刚石薄膜，因而在塑料、钢、铁等衬底表面都能镀覆金刚石薄膜。...
- 王志超
- 文献传递
- 纳米硅薄膜的研制被引量：39
- 1992年
- 使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.
- 何宇亮刘湘娜王志超程光煦王路春余是东
- 关键词：纳米硅非晶硅微晶硅硅
- 应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响
- 1991年
- 应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。
- 滕敏康王志超
- 关键词：正电子湮没PCVDA-SI-H
- 非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究
- 1989年
- 本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.
- 邱树业王志超张淑仪
- 关键词：非晶半导体超晶格薄膜
- 电子辐照下碳膜中氢原子行为的研究
- 1993年
- 本文通过共振核反应与红外吸收两种实验方法,对用PECVD法淀积的非晶碳膜中氢原子在不同剂量电子辐照下的行为,进行了深入的研究.不同剂量的电子辐照,使碳膜样品中的氢含量大小及氢原子的存在方式等有不同程度的变化.
- 顾书林何宇亮王志超
- 关键词：电子辐照碳膜氢原子
- a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合
- 1988年
- 应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。
- 王志超滕敏康张淑仪葛网大邱树业
- 关键词：光生载流子缺陷密度A-SI
- a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱被引量：1
- 1990年
- 我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。
- 邱树业王志超刘湘娜冯小梅
- 关键词：超晶格
