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何宇亮

作品数：93 被引量：324H指数：12
供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
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文献类型

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主题

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  • 7篇非晶
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  • 6篇PECVD

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作者

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传媒

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年份

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  • 6篇1997
  • 9篇1996
  • 7篇1995
  • 6篇1994
  • 7篇1993
  • 3篇1992
  • 5篇1991
共 93 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性被引量：5
1996年
使用常规的ＰＥＣＶＤ等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料纳米硅薄膜的压阻特性．测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，退火后Ｋ值会增加，电阻随压力呈良好的线性关系，但有较大滞后．并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析．本文对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值．
于晓梅何宇亮李雪梅余明斌
关键词：硅膜压力灵敏度纳米硅
纳米硅薄膜低温光致发光被引量：1
1998年
以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。
窦红飞李建军魏希文邹赫麟何宇亮刘明
关键词：纳米硅薄膜光致发光等离子体
热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜被引量：6
1994年
提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。
张荣施洪涛郑有于是东何宇亮刘湘娜
关键词：热丝法碳化硅单晶
nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
1998年
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．
彭英才刘明余明斌余明斌奚中和李月霞
关键词：半导体量子点
纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
1996年
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
关键词：纳米硅量子点半导体
纳米Si薄膜的结构及压阻效应被引量：9
1996年
使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
何宇亮林鸿溢武旭辉余明斌于晓梅王珩李冲
关键词：压阻效应微结构硅薄膜纳米硅薄膜
纳米硅表面与界面的扫描隧道显微镜研究
1997年
本文应用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ），对使用等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了研究，得到颗粒上以及颗粒间界的原子结构图像，从图像上可以得出：（１）纳米硅薄膜是由许多不同大小的颗粒所组成。这些颗粒同时又是由更小的微颗粒所组成。（２）微颗粒的表面及界面原子排列可以分为四种形式；环状结构，线状结构，网状结构以及完全无规的随机排列。（３）观察到环状结构不仅存在于界面，而且普遍存在于微颗粒的表面。本文从机理上对以上各结构的生成机理进行了初步的讨论。
高聚宁杨海强刘宁时东霞江月山薛增泉庞世谨何宇亮
关键词：微电子材料纳米硅扫描隧道显微镜原子结构
纳米硅薄膜光吸收谱的研究被引量：6
1993年
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
刘湘娜何宇亮F.WANGR.SCHWARZ
关键词：纳米硅吸收谱
非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析被引量：6
1990年
使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微结构的认识。
何宇亮周衡南刘湘娜程光煦余是东
关键词：非晶硅晶化微结构
纳米硅薄膜的压阻效应被引量：8
1995年
固体纳米材料已被认为是当前极有发展前景的一种人工功能材料.许多先进国家皆已把它列为21世纪重大课题而给予重视.我们使用了常规的PECVD薄膜沉积技术已成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜(nc-Si:H).由于纳米硅膜是由占体积百分比X_c≈50%的细微晶粒(d=3～5nm)及X_I≈50%的晶粒界面所组成,已发现大量界面组织的存在对nc-Si:H膜的结构和物性产生重要的作用.业已观测到。
何宇亮武旭辉王珩林鸿溢李冲
关键词：纳米硅压阻效应硅
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