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李志勇

作品数:4 被引量:21H指数:3
供职机构:清华大学材料科学与工程系更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇陶瓷
  • 2篇化学镀
  • 1篇电镀
  • 1篇镀铜
  • 1篇引线
  • 1篇引线框
  • 1篇引线框架
  • 1篇再结晶
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇三氧化二铝陶...
  • 1篇铝基板
  • 1篇金属化
  • 1篇基板
  • 1篇基片
  • 1篇合金
  • 1篇合金再结晶
  • 1篇AIN陶瓷
  • 1篇层结

机构

  • 4篇清华大学
  • 1篇北京首钢冶金...

作者

  • 4篇马莒生
  • 4篇李志勇
  • 2篇穆道彬
  • 1篇唐祥云
  • 1篇徐忠华
  • 1篇穆道斌
  • 1篇朱继满
  • 1篇韩振宇
  • 1篇王谦
  • 1篇陶志刚

传媒

  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇材料保护
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1999
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
AlN基片氧化及金属化被引量:8
2000年
研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显。在氧化后的 Al N基片上金属化布线 ,发现表面轻微氧化的 Al N基片和金属化强度有一些提高 ,但氧化过度 ,反而会使金属化结合强度大幅度下降。
徐忠华马莒生李志勇韩振宇王谦唐祥云
关键词:金属化AIN陶瓷基片
提高Al_2O_3陶瓷表面化学镀Cu层结合力的研究被引量:8
1999年
化学镀Cu是Al2O3陶瓷基板表面金属化的一种颇具优势的方法,但镀层与基板之间的结合力较低影响其广泛应用。本文通过选取适当的腐蚀剂,改善了Al2O3陶瓷表面形貌,从而获得了25MPa以上的镀层结合强度,可满足电子封装的要求。另外,本文通过SEM及EDAX。
李志勇穆道彬马莒生
关键词:化学镀电镀三氧化二铝陶瓷镀铜
含ZrFeNi42合金再结晶及蚀刻性能的研究被引量:5
1999年
作为电子封装工业用引线框架主要材料之一的FeNi42合金应当具有良好的应用性能。本工作研究了微量添加元素Zr对FeNi42合金再结晶及晶粒长大的影响。结果表明,Zr元素可以明显地提高合金的再结晶温度,并能有效地抑制合金再结晶后的晶粒长大。此外,腐蚀实验的结果表明,Zr元素的加入可以改善合金腐蚀后的表面粗糙度,这将有利于蚀刻法生产所获得的FeNi42合金引线框架的质量。
李志勇陶志刚穆道彬马莒生
关键词:再结晶引线框架
金属外壳封装的特点及设计
2000年
以金属为外壳的封装是一种新的高密度封装技术 ,具有优异的导热性能及电性能。本文对这种封装的性能特点进行了介绍 ,结合化学镀铜金属化方法 ,以所研制的阳极氧化铝样品为基板进行了金属外壳封装的初步设计 。
穆道斌李志勇朱继满马莒生
关键词:化学镀铝基板
共1页<1>
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