张树玉
- 作品数:18 被引量:32H指数:4
- 供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- ZnSe基底7~14μm波段宽带增透膜被引量:4
- 2009年
- 简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7—14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。
- 闫兰琴张树玉黎建明杨海苏小平余怀之刘嘉禾刘伟
- 硫化锌衬底上氧化铪保护膜制备及性能研究被引量:6
- 2007年
- 采用磁控溅射法在硫化锌衬底上制备了氧化铪薄膜,并对氧化铪薄膜的结构和性能进行了分析和测试.结果表明,制备的氧化铪薄膜结构为单斜相,膜层致密,在8~12 μm波段对硫化锌衬底的透过率没有明显影响,硬度显著高于衬底的硬度,且与衬底结合良好,适合用作硫化锌的红外保护膜.
- 刘伟苏小平张树玉王宏斌郝鹏
- 关键词:硫化锌保护膜射频磁控溅射
- 氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响被引量:4
- 2011年
- 采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能。结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势。在可见及近红外区,有氧气氛下制备的IMO薄膜的平均透过率大于80%以上,并随氧分压的升高而增大。
- 袁果黎建明张树玉刘伟闫兰琴
- 关键词:氧分压电学性能光学性能
- ZnS上HfON保护膜及增透膜系的制备和性能研究被引量:2
- 2009年
- 用氮氧化铪薄膜作为CVDZnS衬底的保护膜、由YbF3和ZnS组成的增透膜系分别在CVDZnS的两面制备了保护膜和增透膜,研究了镀膜前后CVDZnS在8-12μm波段的光学性能,单面镀制增透膜之后CVDZnS在此波段的平均透过率由未镀膜前的74%提高到了82%,峰值透过率大于83.5%。在CVDZnS上镀制HfON保护膜后,其8-12μm波段透过率没有明显的降低,同时硬度测试表明HfON薄膜的硬度约为11.6 GPa,远大于衬底CVDZnS的硬度。胶带实验和泡水试验表明,制备的保护膜和增透膜均和衬底有很好的附着力。
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- 关键词:增透膜
- 红外光学窗口用HfON/BP增透保护膜及其制备方法
- 本发明提供了一种HfON/BP红外光学增透保护膜及其制备工艺。该膜系可用作3~5μm、8~12μm波段红外光学窗口的增透保护膜,其结构为BP膜为内层膜,沉积于光学窗口表面,HfON膜为外层膜,沉积于BP膜上。BP膜的沉积...
- 张树玉黎建明苏小平杨海郝鹏王宏斌余怀之刘伟
- 文献传递
- ZnS上金刚石膜的过渡层设计和附着力研究被引量:6
- 2008年
- CVD ZnS是中长波前视红外窗口和整流罩的合适材料,文中从折射率、热应力、透射波段和附着力等方面考虑,由实验设计出HfO2/非晶膜双层结构作为ZnS与金刚石保护膜间的过渡层,采用射频反应磁控溅射技术在ZnS表面制备过渡膜层,并采用划痕法研究了薄膜的显微结构对其与衬底间附着力的影响。结果表明,金刚石能够在HfO2/非晶膜过渡层上形核、生长,得到优质的保护膜,同时过渡层也缓解了金刚石膜与ZnS衬底间由于热膨胀系数的较大差异而引起的膜层脱落问题,单面沉积过渡层的ZnS在2~12μm范围具有增透膜的作用。与AlN/非晶膜组成的过渡层相比,HfO2/非晶膜组成的过渡层具有更小的残余应力。在典型实验条件下,该过渡层与ZnS衬底附着性良好,研究发现薄膜的显微结构对附着力的大小有重要影响,形成细小致密的柱状纤维结构,有利于提高附着力。
- 郝鹏张树玉黎建明杨海苏小平余怀之刘伟贺琪
- 关键词:过渡层ZNS金刚石膜附着力
- HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究被引量:3
- 2008年
- 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响。对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能。采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能。本研究得到了优化的沉积工艺参数。
- 贺琦王宏斌张树玉吕反修杨海苏小平
- 关键词:HFO2薄膜红外透过率
- 氧分压对HfOzNy薄膜结构和光学性能的影响
- 本文用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜,沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温.用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见分光光度计等分别研究了...
- 刘伟苏小平张树玉郝鹏王宏斌刘嘉禾阎兰琴
- 关键词:半导体薄膜磁控溅射晶体结构薄膜光学
- 文献传递
- ZnSe基底7~14μm波段宽带增透膜
- 本文简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究.介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程.给出了用该方法制备的7~14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率...
- 闫兰琴张树玉刘嘉禾刘伟袁果黎建明杨海苏小平余怀之
- 制备工艺条件对HfO_2薄膜结构和性能的影响被引量:8
- 2008年
- 用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的可见透射光谱、光学常数和硬度。结果表明薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能和硬度等都与制备工艺有着密切的关系,电子束蒸发制备的薄膜为非晶相,而离子束辅助和反应磁控溅射制备的薄膜为多晶相,三种方法制备的氧化铪薄膜都为柱状结构,电子束蒸发和离子束辅助制备的薄膜色散严重,但反应磁控溅射制备的薄膜吸收较大,反应磁控溅射制备薄膜的硬度远大于电子束蒸发和离子束辅助制备薄膜的硬度。并分别用薄膜成核长大热力学原理和薄膜结构区域模型解释了不同工艺条件下氧化铪薄膜晶体结构和显微结构不同的原因。
- 刘伟苏小平张树玉郝鹏王宏斌刘嘉禾
- 关键词:电子束蒸发离子束辅助反应磁控溅射光学性能