苏小平
- 作品数：84 被引量：217H指数：10
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化被引量：3
- 2011年
- 晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率。在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm.h-13个速率下6英寸VGF GaAs单晶的生长,通过对比不同生长速率下温度梯度(均为界面附近晶体中的温度梯度)和固-液界面形状的变化及热应力的分布,得出以下结果:随着晶体生长速率的增加,轴向温度梯度增大的同时,沿径向增加也较快;但由于受氮化硼坩埚轴向较大热导率的影响,晶体边缘轴向温度梯度迅速减小;径向温度梯度在晶体半径70mm处受埚壁的影响均变为负值,晶体中大量的热沿埚壁流失,导致生长边角上翘;生长速率的增加使得界面形状由凸变平转凹,"边界效应"逐渐增强,坩埚与固-液界面的夹角逐渐减小,孪晶和多晶产生的几率增加;通过对比,1.8 mm.h-1生长时晶体界面平坦、中心及边缘处热应力均较小、生长速率较大,确定为此时刻优化的生长速率。
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- 关键词：砷化镓生长速率数值模拟
- 磷化硼硬质涂层的制备方法
- 本发明提供了一种磷化硼硬质涂层的制备方法，系采用射频等离子体增强CVD技术，该方法是在被保护工件放置在射频极板上并加热到200～700℃，采用含硼气体和含磷气体的射频辉光放电进行磷化硼涂层的沉积，沉积过程分为两个阶段：首...
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- 文献传递
- 化学气相沉积硫化锌系统中的除尘过滤装置
- 一种化学气相沉积硫化锌系统中的除尘过滤装置，它包括有冷凝室、过滤室、吸附室，所述的冷凝室上连接有冷凝室进气管和冷凝室出气管，在冷凝室内设置有螺旋水冷管，该螺旋水冷管上连接有进水管和出水管；所述的过滤室内设置有带支架的过滤...
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- 文献传递
- 气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响被引量：2
- 2008年
- 本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案。
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- 关键词：温场数值模拟
- 半导体材料的红外光学特性及应用被引量：15
- 1997年
- 综述了半导体材料的红外光学性能及相关的力学、热学性能，讨论了影响红外透过率的主要因素。
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- 关键词：半导体材料红外光学
- 锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究
- e invention of Ge semiconductor transistors starts the microelectronic revolution.A vast amount of research wo...
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- 4英寸低位错锗单晶生长被引量：13
- 2008年
- 采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。
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- 关键词：温度梯度缩颈工艺参数位错密度
- VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化被引量：3
- 2011年
- VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤其当晶体生长进入等径生长阶段后,晶体中的轴向温度梯度在2～3 K.cm-1之间,熔体中的轴向温度梯度0.8～1.0 K.cm-1之间;晶体中的热应力除边缘外均在(2～9)×104 Pa之间,低于Ge单晶的临剪切应力,且晶体生长界面较平整;坩埚与坩埚托之间的间隙对于晶体生长中的"边界效应"影响显著,将8 mm间隙减小至2 mm后,埚壁外侧的径向热流增加,使得晶体边缘的最大热应力减小至0.21 MPa和Ge单晶的临剪切应力相当,实现了热场的优化。
- 丁国强苏小平张峰燚黎建明冯德伸
- 关键词：锗单晶数值模拟
- 退火对锗单晶导电性能的影响被引量：6
- 2007年
- 退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。
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- 关键词：锗单晶退火电阻率
- 制备多光谱硫化锌的工艺方法
- 一种制备多光谱ZnS的工艺方法，它采用标准的热等静压炉对原生CVDZnS进行后处理，它包括以下步骤：(1)、将清洗后的CVDZnS工件置于干净的滤纸上晾干、包上箔片待用；(2)、将包裹好的产品放入坩埚中，并装入热等静压炉...
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