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张卫红

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇欧姆接触
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HFET

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇周玉刚
  • 1篇杨立杰
  • 1篇沈波
  • 1篇张卫红
  • 1篇焦刚
  • 1篇王泉慧
  • 1篇郑有炓
  • 1篇曹春海
  • 1篇薛舫时
  • 1篇金龙
  • 1篇王柏年

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
2004年
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N
焦刚曹春海薛舫时杨立杰王泉慧王柏年金龙张卫红沈波周玉刚郑有炓
关键词：欧姆接触ALGAN/GANHFET
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