孟超
- 作品数：23 被引量：7H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器
- 本发明属于存储器技术领域，具体为一种自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。该电路通过读取分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元来判断其所监测的存储阵列的数据保持情况，其可以根据不同的工作条件、形成工艺条...
- 林殷茵董存霖孟超程宽
- 文献传递
- 一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，...
- 林殷茵孟超董存霖程宽
- 文献传递
- 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法
- 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
- 文献传递
- eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案被引量：2
- 2012年
- 由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%～30%的刷新功耗.
- 董存霖孟超程宽林殷茵
- 关键词：嵌入式DRAM低功耗
- eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
- 2012年
- 提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.
- 程宽马亚楠孟超董存霖林殷茵
- 关键词：动态随机存储器
- 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法
- 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
- 文献传递
- DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM
- 本发明属于DRAM技术领域，具体为一种DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM。本发明的读出放大器的控制电路包括控制信号生成电路，与所述DRAM（动态随机存取存储器）的存储单元相应的冗余单元，以及冗余字线驱动模块...
- 解玉凤林殷茵薛晓勇孟超
- 带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法
- 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低...
- 林殷茵董存霖孟超程宽马亚楠严冰
- 文献传递
- 一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备及其方法
- 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
- 文献传递
- 一种不含温度传感器的多级温度控制自刷新存储设备及其方法
- 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分...
- 解玉凤林殷茵孟超程宽
- 文献传递
