董存霖
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM
- 本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列...
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- 文献传递
- 一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合...
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- 文献传递
- 自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器
- 本发明属于存储器技术领域，具体为一种自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。该电路通过读取分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元来判断其所监测的存储阵列的数据保持情况，其可以根据不同的工作条件、形成工艺条...
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- 文献传递
- 一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，...
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- 文献传递
- eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案被引量：2
- 2012年
- 由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%～30%的刷新功耗.
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- 关键词：嵌入式DRAM低功耗
- eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
- 2012年
- 提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.
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- 关键词：动态随机存储器
- 带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法
- 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低...
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- 文献传递
- 一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合...
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- 一种应用于增益单元嵌入式动态随机存储器的自适应动态刷新及写电压调整方案
- 本文以新型无电容嵌入式动态随机存储器——双管增益单元为核心单元,围绕该核心单元设计了一款具有低功耗刷新特点的嵌入式动态随机存储器。重点讨论了该核心单元面积小、与逻辑工艺完全兼容等优点,并提出其设计中的四个难点——数据保持...
- 董存霖
- 关键词：低功耗
- 文献传递
- 一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法
- 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，...
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