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孙正地

作品数：1 被引量：18H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇低压
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇特征导通电阻
  • 1篇RON
  • 1篇FET

机构

  • 1篇辽宁大学
  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇孙正地
  • 1篇石广源
  • 1篇王中文
  • 1篇高嵩
  • 1篇张颖

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究被引量：18
2002年
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P?体扩散区结深Xjp?和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp?和Tox的关系。最后阐述了器件的最佳化设计思想。
石广源孙正地高嵩王中文张颖
关键词：特征导通电阻氧化层厚度
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共1页<1>
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