周德红
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- 3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管
- 2001年
- 傅义珠林川周德红梅海潘菁康小虎
- 关键词：功率晶体管长脉宽高增益硅
- SiC MESFET器件制造与特性研究
- 报告了4H—SiC MESFET单栅器件的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8um n沟道4H—SiC MESFET,其主要直流特性结果为:在V
- 陈刚汪玲周德红柏松
- 关键词：金属半导体场效应管微波宽禁带半导体
- AZ5214反转胶在电镀工艺中的应用
- 2014年
- 介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 严德圣周德红王佃利
- 关键词：电镀
- 硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
- 2014年
- 硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。
- 钱伟严德圣丁晓明周德红刘雪高群蒋幼泉
- 关键词：键合
- 600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管被引量：3
- 1994年
- ６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华
- 关键词：功率晶体管硅脉冲
