冯汉华
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压被引量：1
- 2002年
- 利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )
- 李兴教王宁章鲍军波陈涛冯汉华袁润章LI Shao-ping
- 关键词：整流特性半导体存储器
- 层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响被引量：4
- 2001年
- 利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同 ,同一结构的多层铁电薄膜在不同频率下其界面电压降也不同。
- 李兴教王宁章鲍军波冯汉华陈涛周健袁润章
- 关键词：层状结构铁电薄膜
- 极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究被引量：2
- 2001年
- 用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明 ,在负温区 ,电流密度 J对温度 T有较强的依赖关系 ,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区 ,服从 J=K V2 关系 ,ε和 SCL C电流密度 J则与温度
- 王宁章鲍军波陈涛冯汉华黄新堂袁润章李兴教
- 关键词：铁电薄膜半导体材料
