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王宁章

作品数:49 被引量:126H指数:5
供职机构:广西大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广西壮族自治区科技攻关计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 42篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 7篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇铁电
  • 9篇铁电薄膜
  • 9篇放大器
  • 7篇低噪
  • 7篇低噪声
  • 7篇低噪声放大器
  • 5篇熟料
  • 5篇水泥
  • 5篇水泥熟料
  • 5篇陶瓷
  • 5篇SRTIO
  • 4篇真空
  • 4篇宽带
  • 4篇CMOS
  • 4篇超宽带
  • 3篇真空烧结
  • 3篇煅烧
  • 3篇线性度
  • 3篇介电
  • 3篇二极管

机构

  • 42篇广西大学
  • 9篇华中科技大学
  • 3篇武汉理工大学
  • 1篇空军工程大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇江苏省建筑材...

作者

  • 49篇王宁章
  • 8篇李兴教
  • 5篇鲍军波
  • 5篇陈涛
  • 4篇高雅
  • 4篇马玉田
  • 3篇周长川
  • 3篇罗婕思
  • 3篇袁润章
  • 3篇冯汉华
  • 3篇唐江波
  • 3篇卢安栋
  • 3篇宁吉
  • 3篇秦国宾
  • 3篇文珺
  • 2篇赵浩
  • 2篇邹雪城
  • 2篇沙丽娜
  • 2篇覃团发
  • 2篇徐静平

传媒

  • 7篇压电与声光
  • 5篇电子技术应用
  • 4篇材料导报
  • 3篇水泥
  • 3篇微计算机信息
  • 2篇电子科技
  • 2篇通信技术
  • 2篇广西大学学报...
  • 2篇广西大学学报...
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇水泥工程
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇江苏建材
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇计算机技术与...
  • 1篇企业科技与发...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 8篇2005
  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1989
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺钕钛酸铋铁电陶瓷靶的研制被引量:2
2005年
用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在应用电压为5V,测试频率为1MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10–6C/cm2和5×103V/cm。
王宁章李兴教
关键词:无机非金属材料铁电材料BNT晶种
真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷被引量:1
2011年
选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。
王宁章卢安栋唐江波罗婕思文章
关键词:真空烧结烧结助剂
2.4GHz CMOS线性功率放大器设计被引量:2
2010年
利用双重器件提高线性度的方法,设计了一个两级电路结构的线性功率放大器,可应用于蓝牙系统发射模块。电路基于台基电公司(TSMC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,该功率放大器的中心工作频率为2.4GHz,利用ADS2008U2对电路进行模拟仿真。仿真结果显示,当输入信号功率为-7.8dBm时,功率增益为30.6dB,功率附加效率为26.67%,1dB压缩点输出功率为22.79dBm,具有很高的线性度。
秦国宾王宁章
关键词:CMOS线性度功率放大器
基于干扰加噪声协方差矩阵重构的稳健自适应波束形成被引量:1
2016年
在自适应波束形成中,由于期望信号(SOI)导向矢量(SV)的误差、采样点数较少、训练数据中存在期望信号成分等原因,造成波束形成的性能严重下降。针对以上问题,提出了一种稳健波束形成方法。首先利用MUSIC算法和参数估计来重构不包含SOI的干扰噪声协方差矩阵,再通过利用相关系数来估计出期望信号导向矢量。仿真结果表明,该算法可以处理较大的方向误差,并且信噪比(SNR)在较大的范围内都可以得到比传统方法更佳的性能。
王宁章闵仁江许慧青
关键词:自适应波束形成MUSIC算法
一种基于空时插值的杂波抑制方法和装置
本发明公开了一种基于空时插值的杂波抑制方法和装置,其中,该方法包括:步骤A:接收机载非正侧面阵雷达的空时信号,计算所述空时信号的第l个距离门对应的不同模糊距离门的俯仰角;步骤B:计算所述第l个距离门对应的近程杂波导向矢量...
文珺王宁章蔡毓介燕菁加蒋庆
文献传递
3GHz~5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计被引量:1
2011年
提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz~5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB~4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
王宁章唐江波秦国宾卢安栋罗婕思
关键词:CMOS超宽带低噪声放大器
铈掺杂Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3的改性研究被引量:3
2013年
铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。
王宁章李建业刘静宁吉高雅
关键词:BA0烧结助剂介电性能
OFDM分数倍频偏与码元定时的联合估计被引量:1
2010年
Smidle和Cox(SC)算法是OFDM系统中频偏和码元定时估计的经典算法。基于SC的导频设置,利用最大似然(ML)准则,提出一种分数倍频偏(FFO)和码元定时联合估计算法,通过计算机仿真比较可以看出,文中提出的联合估计算法的FFO估计性能与SC算法相同,而码元定时估计方法的性能明显优于SC算法。
沙丽娜仝宝琛王宁章李军
关键词:OFDM最大似然准则
一种高性能储能薄膜的制备方法
本发明的一种高性能储能薄膜的制备方法,具体为Pb<Sub>1‑3x/2</Sub>R<Sub>x</Sub>Zr<Sub>0.95</Sub>Ti<Sub>0.05</Sub>O<Sub>3</Sub>铁电薄膜,其中R为...
彭彪林富永明王宁章
文献传递
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
2005年
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
王宁章
共5页<12345>
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