鲍军波
- 作品数：23 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国医学科学院北京协和医学院生物医学工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>
- 载药或载基因支架的制备方法
- 本发明公开了一种载药或载基因支架的制备方法，制备步骤为：(1)支架表面的预处理，包括：溅射或电镀金、固定高分子；(2)药物或基因分子在支架表面的固化包括：支架表面活化、上载体、封闭后再将药物或基因固化，本发明采用多层组装...
- 宋存先鲍军波欧惠超
- 文献传递
- 麻痹性贝毒的表面等离子体共振快速检测方法研究被引量：5
- 2006年
- 采用表面等离子体共振（SPR）技术研究了赤潮毒素麻痹性贝毒（PSP）的快速检测方法，分别采取固定化PSP抗体分子和PSP分子的方法，进行直接和间接检测溶液中PSP的含量，检测下限分别为70．2μg·L^-1（-235nmol·L^-1）和0．5μg·L^-1（-1．67nmol·L^-1），相对标准偏差（RSD）为4．2％～7．7％，同收率为101％～105％。检测方法的选择性好，样品、标准物和抗体的用量少，检测成本低，单个样品的测试时间不到10min，能够满足赤潮毒素的快速检测需求。
- 鲍军波李兴教罗昭锋王菊英
- 关键词：麻痹性贝毒表面等离子体共振赤潮毒素
- 麻痹性贝毒的表面等离子体共振快速检测方法
- 本发明公开了属于环境化学与生物分子检测领域的一种麻痹性贝毒的表面等离子体共振快速检测方法。在待测PSP样品溶液中加入定量的PSP抗体，然后流过固化有PSP的溅金玻片，通过带有表面等离子体共振传感器的SPR检测仪来定量检测...
- 王菊英罗昭锋鲍军波陈宇春
- 文献传递
- RGD肽表面修饰壳聚糖载基因纳米粒子的体外实验研究
- 2009年
- 目的将Arg—Gly—Asp（RGD）肽偶联到壳聚糖（CH）材料表面，并制备成包载质粒DNA的纳米粒子，以未偶连RGD的壳聚糖载质粒DNA作为对照，进行体外内皮细胞转染，观察其是否能提高对内皮细胞的转染效率。方法以1-乙基-3-（3-二甲基氨基丙基）碳化二亚胺盐酸盐（EDC）和N-羟基丁二酰亚胺（NHS）为偶联剂，通过酰胺键将RGD肽偶联到壳聚糖表面，对其进行表征，并以未偶连RGD的壳聚糖作为对照，制备载pEGFP-C1质粒DNA纳米粒子，比较2者对Hy926细胞的转染效率。结果壳聚糖-RGD（CH-RGD）载基因纳米粒子转染Hy926细胞的效率明显高于未偶连RGD的壳聚糖载基因纳米粒子（35．7％VS14．3％．P〈0．001）。结论RGD肽表面修饰壳聚糖载基因纳米粒子可用于体外细胞转染，其对细胞的转染效率明显优于未偶连RGD的壳聚糖。
- 唐锋管珩刘昌伟李拥军郑月宏李晓慧鲍军波唐丽娜宋存先
- 关键词：RGD肽壳聚糖基因载体
- 具有多次全反射的高灵敏度的表面等离子共振检测器
- 本发明公开了属于光学检测仪器范围的一种具有多次全反射的高灵敏度的表面等离子共振检测器。在柱面镜上方的平面上制作金属薄膜作为敏感膜，柱面镜的下方为光电检测器，左边为入射光源。与传统的单点全反射相比，光源发出的光通过柱镜照射...
- 鲍军波王菊英刘理天任天令
- 文献传递
- 新型温度敏感性自组装胶束P(NiPAAm-co-DMAA)-co-P(L-Ala)的合成和性能被引量：7
- 2009年
- 通过原子转移自由基聚合(ATRP)合成了一种带有活性—NH2基团的温度敏感性亲水型共聚物P(NiPAAm-co-DMAA),并将其作为引发剂,合成了P(NiPAAm-co-DMAA)-co-P(L-Ala),其分子量分布(PDI)在1.3左右.聚合物通过自组装形成纳米胶束.透射电镜(TEM)结果表明,胶束大小200～300nm,具有明显的核壳结构.共聚物的最低临界溶解温度(LCST)为45.5℃.温度低于LCST时,聚合物溶解形成胶束;高于LCST时,胶束解离,聚合物不溶.聚合物对温度的响应是快速而可逆的.
- 王海青俞玫鲍军波宋存先
- 钛酸锶钡、钛酸锶铌及多层铁电存储器研究
- 本文包括钛酸锶钡、钛酸锶铌及铁电存储器的研究。分别评述了钛酸锶钡介电材料、钛酸锶铌陶瓷材料及铁电存储器的研究现状;并成功地设计了钛酸锶钡薄膜介电材料、钛酸锶铌陶瓷变阻器的制备工艺，以及多层铁电薄膜存储器;通过对材料的晶相...
- 鲍军波
- 关键词：退极化
- 文献传递
- 钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征被引量：2
- 2006年
- 采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标，并与文献中的数值进行了比较。εeff高达（4～9）×10^5，具有良好的介电温度系数（｜αs｜〈0．3％）、频率系数（fr〈12％）和电压温度系数（｜k｜=0．2％）；介电损耗小（tanδ〈1％）；非线性系数大（α=4～10）；电流密度为1mA时的场强（E1 mA）值很低（0．3～2．9V／mm）；电压系数小于10％。
- 李兴教鲍军波李少平庄严顾豪爽袁润章
- 关键词：I-V特性介电性质
- Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器
- 2002年
- 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。
- 李兴教王宁章鲍军波宁广蓉陈涛徐静平陈振贤邹雪城LI Shao-ping
- 关键词：铁电薄膜
- 在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降被引量：1
- 2002年
- 利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。
- 李兴教王宁章鲍军波邹雪城徐静平陈涛LI Shao-ping
- 关键词：二极管
