丁发柱
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- PAHFCVD金刚石膜表面形貌的研究
- 2005年
- 采用等离子辅助热丝化学气相沉积(PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜、碳化钛/金刚石复合膜、掺硼金刚石薄膜的制备.制备条件分别为:V(CH)4:V(H2)=3:100,载气流量5～50 cm3·s-1,钛源钛酸异丙酯(Ti[OC3H 7]4),硼源硼酸三甲酯(BC3O4H9),基体温度820～860℃,基体偏压300V,沉积气压4 kPa.运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和能量扩散电子谱(EDX)等分析手段对PAHFCVD金刚石膜、金刚石复合膜和掺硼金刚石膜进行了表征.结果发现,金刚石/碳化钛膜和掺硼金刚石膜主要晶面为(111)面.
- 付强石玉龙丁发柱
- 关键词：金刚石复合膜
- 直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究被引量：4
- 2006年
- 通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金刚石薄膜形核和生长过程,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了金刚石的样品,结果表明,施加偏压不仅能大大促进金刚石的形核密度(1010cm-2)、提高金刚石薄膜的生长速率,金刚石薄膜的取向也随机取向变为(111)定向生长。
- 丁发柱石玉龙
- 关键词：热丝化学气相沉积
- 偏压热丝化学气相沉积金刚石膜及其复合膜的研究
- 本文研究了偏压热丝化学气相沉积金刚石膜及其复合膜，全文包括以下几个方面：
一、改进了热丝化学气相沉积金刚石薄膜的方法。围绕金刚石膜的形核与生长，在自制的热丝化学气相设备中系统地研究了偏压、甲烷浓度、碳源对金刚石...
- 丁发柱
- 关键词：金刚石膜复合膜
- 文献传递
- 不同碳源对金刚石薄膜制备的影响
- 2007年
- 采用等离子辅助热丝化学气相沉积(PAHFCVD)装置,分别用甲烷和乙醇为碳源进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。结果表明,用乙醇制备的金刚石薄膜比甲烷制得的金刚石薄膜的生长率要高,膜的缺陷少、颗粒均匀。
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- 关键词：等离子体热丝化学气相沉积碳源金刚石薄膜
