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魏茂林

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇GAN材料
  • 2篇氮化镓
  • 2篇GAN
  • 2篇LEO
  • 2篇MOCVD
  • 1篇半导体
  • 1篇GAN基材料
  • 1篇MBE
  • 1篇MBE生长
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇魏茂林
  • 2篇李爱珍
  • 2篇齐鸣
  • 1篇孙一军
  • 1篇茹国平
  • 1篇李爱珍
  • 1篇李存才
  • 1篇赵智彪
  • 1篇郑燕兰
  • 1篇任尧成
  • 1篇张永刚
  • 1篇齐鸣
  • 1篇李伟
  • 1篇陈建新

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理被引量：1
2001年
由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。
魏茂林齐鸣李爱珍
关键词：氮化镓半导体LEO
GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究被引量：1
2002年
对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响。通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3。
魏茂林齐鸣孙一军李爱珍
关键词：MOCVD氮化镓
横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究
本文围绕GaN材料的金属有机物化学气相淀积（MOCVD）和横向外延过 生长（LEO）展开，首先以常规的MOCVD两步生长法为切入点，并在此基础 上进行了GaN材料的LEO生长研...
魏茂林
文献传递
GaN基材料RF等离子体MBE生长
齐鸣李爱珍李伟任尧成李存才赵智彪陈建新张永刚郑燕兰魏茂林茹国平
通过研究建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统。在白宝石、SiC、HVPEGaN/Al2O3三种衬底上生长出具有光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN（XAL0-0.25）材料。研制了AlGaN/GaN/A...
关键词：
关键词：GANMBE
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