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孙一军
作品数:
15
被引量:60
H指数:4
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中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
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西安交通大学
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西安交通大学
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1996
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计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统及其在纳米级超细粉制备中的应用
该文的技术路线是建立计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统,采用CVD方法制备TiO<,2>纳米级超细粉.
孙一军
关键词:
低压
MOCVD
自动控制
纳米粉末
原位制备
高取向锐钛矿TiO_2薄膜的MOCVD法制备与表征
被引量:9
1998年
采用热壁低压MOCVD方法,以Ti(OC4H9)4为源在SiO2/Si衬底上制备出了高取向锐钛矿TiO2薄膜。用X射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律,采用XPS和SEM分别研究薄膜的组成和形貌。结果表明,当沉积温度为5000C和6000C时,薄膜为锐钛矿结构,3000C和4000C时,薄膜以无定形结构为主。薄膜的组成为TiO2,衬底影响薄膜的相组成。不同沉积温度下制备的薄膜具有不同的显微结构,薄膜厚度均匀。
孙一军
夏冠群
张良莹
姚熹
关键词:
MOCVD
锐钛矿
光电子材料
二氧化钛
MOCVD方法在TiO_2纳米粉末制备中的应用
被引量:15
1999年
众所周知,MOCVD方法是制备薄膜材料的重要方法之一,现已广泛应用于半导体薄膜、铁电薄膜和超导薄膜等的制备。在以前的工作中,我们设计、加工、安装、调试、建立了一套可计算机自动控制的热壁低压MOCVD设备,制备出了TiO2纳米粉末,得到了一些初步结果。本文详细研究了热壁低压MOCVD方法在TiO2纳米粉末制备中的应用,通过合理设计反应室和收集区域,在采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式,制备出了TiO2纳米粉末。采用X射线衍射技术研究了沉积温度对TiO2纳米粉末的晶体结构和平均晶粒尺寸的影响规律。在500℃~1000℃范围内,粉末均为锐钛矿结构,平均晶粒尺寸7.4~15.2nm ,700℃条件下制备的TiO2纳米粉末的平均晶粒尺寸最小。透射电子显微镜观察表明,在最佳沉积温度700℃条件下制备的TiO2粉末粒度均匀性好,粒径约为5~8nm 。
孙一军
夏冠群
关键词:
纳米粉末
MOCVD法
沉积温度
X射线衍射
薄膜多层混合电路图设计软件的开发和应用
1996年
本文根据薄膜多层混合电路的特点,对印制板电路布图设计软件PROTEL进行二次开发,研制出适于薄膜多层混合电路布图设计的软件PROTEL-SUN,应用软件对控制信号发生器实施薄膜四层布线的布图设计,布通率达到100%。
孙一军
孙承永
关键词:
混合电路
CAD
印制板电路
CAD技术在薄膜多层混合电路中的应用
1998年
本文根据薄膜多层混合电路的特点,概述了计算机辅助设计(CAD)技术在薄膜多层混合电路中的应用,着重讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助电路分析(CAA)和计算机辅助布图设计,并指出了存在问题和今后的发展趋势。
孙一军
孙承永
关键词:
计算机辅助设计
BaTiO_3薄膜的MOCVD方法制备及进展
被引量:6
1998年
本文概述了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备BaTiO3薄膜的原理和特点,着重介绍低压MOCVD、等离子体增强MOCVD和光辅助MOCVD三种技术在BaTiO3薄膜制备中的应用,并指出了最新研究进展。
孙一军
张良莹
姚熹
关键词:
MOCVD
TiO_2纳米粉末的热壁低压MOCVD方法制备
被引量:3
1998年
采用热壁低压MOCVD方法制备了TiO2纳米粉末。研究了收集区、载气流量和氧气流量对TiO2纳米粉末的晶体结构、平均晶粒尺寸和粒度分布的影响规律。采用Raman散射、X射线衍射和透射电子显微镜等技术对TiO2纳米粉末进行了表征。
孙一军
张良莹
姚熹
关键词:
MOCVD
纳米粉末
二氧化钛
计算机自动控制的热壁低压 MOCVD 系统的建立及其应用
被引量:2
1998年
本文根据金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统的原理和特点,建立了计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统。我们首次采用热壁低压MOCVD方法在制备高质量薄膜的同时,制备出了纳米微粉。
孙一军
张志峰
张良莹
姚熹
关键词:
自动控制
MOCVD
低热
纳米微粉
薄膜多层混合电路CAA中的器件模型和应用
1996年
概述了薄膜多层混合电路计算机辅助电路分析(CAA)的原理和特点。以CH4013和CH4040为例,讨论了CAA中的器件模型和应用。对结果进行了讨论。
孙一军
孙承永
关键词:
电路分析
立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜
被引量:4
2001年
立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga
孙一军
李爱珍
齐鸣
关键词:
金属有机化学气相沉积
氮化镓
砷化镓衬底
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