赵宝
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Bi_2Te_3拓扑相变第一原理研究
- 2012年
- 拓扑绝缘体是最近几年凝聚态物理学的一个新的研究领域,是一种新的量子物质态。本文应用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了BiTe拓扑相变的机制。
- 戴宪起赵宝
- 关键词：拓扑绝缘体BI2TE3自旋轨道耦合第一性原理密度泛函理论
- Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响被引量：4
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.
- 李艳慧刘中山赵建华赵宝戴宪起
- 关键词：石墨烯AL掺杂第一性原理
- Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究被引量：2
- 2014年
- 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响.
- 戴宪起王宁赵宝赵旭
- 关键词：石墨烯拓扑绝缘体掺杂BISETE
- Bi、Se和Te在n/p型石墨烯上吸附的第一性原理研究
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi、Se 和Te 原子在完整和点缺陷(单空位、B 掺杂和N 掺杂)石墨烯上吸附的稳定结构,以及这些体系的电子性质和磁性质.研究结果表明：Bi、Se 吸附在石墨烯的桥位最稳定,T...
- 王宁戴宪起赵宝赵旭
- 关键词：石墨烯拓扑绝缘体BISETE
- Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>类拓扑绝缘体材料电子结构的第一性原理研究
- 拓扑绝缘体是最近几年凝聚态物理学中出现的一个新的研究领域，它是一种新型的量子物质态。在拓扑绝缘体中，电子能带的拓扑性质能够产生很多新奇的物性，使其很有希望应用于低能耗的自旋电子器件和容错量子计算中，而这两个领域的进展将有...
- 赵宝
- 关键词：拓扑绝缘体电子结构自旋轨道耦合
