董作典
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：5
- 2009年
- 首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.
- 张进成郑鹏天董作典段焕涛倪金玉张金凤郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN双异质结构
- 一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
- 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
- 张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩
- 文献传递
- Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
- 2009年
- 采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.
- 刘林杰岳远征张进城马晓华董作典郝跃
- 关键词：原子层淀积ALGAN/GAN温度特性
- GaN基异质结缓冲层漏电研究
- AlGaN/GaN HEMT器件的微波大功率特性自1993年以来已取得巨大的进步，但是仍然存在许多制约因素限制了其性能的提升和应用的发展。其中大功率工作时GaN缓冲层的漏电引起器件功率和效率降低是最为棘手的问题之一。针对...
- 董作典
- 关键词：微波器件原子扩散
- 文献传递
- GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：3
- 2009年
- 通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.
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- 关键词：ALGAN/GAN异质结GAN缓冲层漏电
- 一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
- 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通...
- 张进城郑鹏天郝跃董作典王冲张金风吕玲秦雪雪
- 文献传递
- 一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
- 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
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- 一种新型增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
- 本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发...
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- 文献传递
