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秦雪雪

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇微电子
  • 4篇A1GAN/...
  • 4篇HEMT器件
  • 3篇成核
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇外延层
  • 2篇外延层生长
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇介质膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率开关
  • 2篇GAN
  • 2篇大功率
  • 2篇大功率开关
  • 1篇带宽
  • 1篇对称振子
  • 1篇多极化
  • 1篇异质结
  • 1篇振子

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇秦雪雪
  • 5篇董作典
  • 5篇张进城
  • 5篇郑鹏天
  • 5篇郝跃
  • 4篇王冲
  • 3篇刘林杰
  • 2篇张金风
  • 2篇吕玲
  • 2篇冯倩
  • 1篇万继响
  • 1篇李岩
  • 1篇傅光
  • 1篇云宇

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaN基毫米波异质结构器件研究
GaN基毫米波器件技术已成为目前最具前景的毫米波大功率器件和功率放大器的理想制造技术。AlGaN//GaN HEMT具有出色的微波功率特性,它在军用和民用领域具有广阔的应用前景。通过缩小栅长提高器件高频率工作时的功率和增...
秦雪雪
关键词：HEMT毫米波
文献传递
一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩
文献传递
基于紧耦合的多极化宽带宽角扫描天线
一种基于紧耦合的多极化宽带宽角扫描天线，包括多个周期性排布的多极化天线阵元；每个多极化天线阵元包括辐射单元和馈电单元；辐射单元包括介质板、频率选择表面、高阻抗表面、紧耦合对称振子辐射片和弯折线；馈电单元包括馈电巴伦和地板...
刘能武云宇万继响孙胜秦雪雪李岩傅光
一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通...
张进城郑鹏天郝跃董作典王冲张金风吕玲秦雪雪
文献传递
一种新型增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发...
张进城郑鹏天郝跃董作典王冲张金风吕玲秦雪雪
文献传递
一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩
文献传递
GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：3
2009年
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.
张进城董作典秦雪雪郑鹏天刘林杰郝跃
关键词：ALGAN/GAN异质结GAN缓冲层漏电
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