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刘林杰

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇原子层淀积
  • 2篇微电子
  • 2篇温度特性
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇介质膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇A1GAN/...
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇GAN
  • 2篇HEMT器件
  • 1篇异质结
  • 1篇预加重
  • 1篇阵列封装
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基板
  • 1篇温度

机构

  • 6篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 6篇刘林杰
  • 5篇郝跃
  • 4篇董作典
  • 4篇张进城
  • 3篇秦雪雪
  • 3篇郑鹏天
  • 2篇王冲
  • 2篇冯倩
  • 1篇马晓华
  • 1篇岳远征
  • 1篇刘林杰

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光学精密工程

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
AlGaN//GaN MOS-HEMT器件特性研究
国内外的研究报道表明,高性能AlGaN//GaN异质结器件在大功率微波领域的应用有较大的优势,然而从AlGaN//GaN异质结器件诞生以来伴随的界面缺陷、陷阱电荷以及较大的栅泄漏电流等问题严重制约了这种器件的应用。因此,...
刘林杰
关键词：陷阱电荷温度特性
文献传递
一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩
文献传递
Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
2009年
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.
刘林杰岳远征张进城马晓华董作典郝跃
关键词：原子层淀积ALGAN/GAN温度特性
DC-55 GHz高性能焊球阵列封装用非垂直互连结构
2023年
根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。
刘林杰刘林杰郝跃王轲乔志壮
关键词：陶瓷基板预加重
一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC...
张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩
文献传递
GaN基异质结缓冲层漏电分析被引量：3
2009年
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.
张进城董作典秦雪雪郑鹏天刘林杰郝跃
关键词：ALGAN/GAN异质结GAN缓冲层漏电
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