苗瑞霞
- 作品数：23 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西安邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国防基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型被引量：1
- 2009年
- 本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节。
- 高春燕李德昌张玉明汤晓燕苗瑞霞
- 关键词：4H-SIC第一性原理计算
- 基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法；解决现有双栅T型源区异质结TFET(T‑source‑HJTFET)亚阈值摆幅特性较为陡峭以及开态电流较低的技术问题；晶体管包括T型结构的源区...
- 陈庆刘含笑齐增卫杨露露王丹丹苗瑞霞贺炜李建伟
- 一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
- 2010年
- 介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。
- 苗瑞霞张玉明张义门汤晓燕
- 关键词：堆垛层错碳化硅
- 一种低温制备亚微米NaNbO<Sub>3</Sub>陶瓷粉体的方法
- 本发明公开了一种低温制备亚微米NaNbO<Sub>3</Sub>陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：制备稳定的草酸铌溶液；将无水碳酸钠溶解到去离子水中；制备NaNbO<Sub>3</Sub>的前驱体溶液；获得NaNbO<Sub...
- 刘维红苗瑞霞李永锋张博商世广赵萍
- 文献传递
- SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
- 2010年
- 由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错,其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观测就能建立起衬底和外延层缺陷之间的某种联系,另外对器件工作前后的缺陷进行表征,建立器件工作前后缺陷之间的联系,就可以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC
- 一种啤酒过滤用石墨烯复合膜及其制备方法
- 本发明公开了一种啤酒过滤用石墨烯复合膜及其制备方法，该复合膜为由陶瓷膜、氧化石墨烯分离膜、完成刻蚀后的石墨烯膜、陶瓷膜从上往下依次层叠构成的过滤膜结构，所述完成刻蚀后的石墨烯膜上有通过离子束撞击所得的纳米级孔洞。本发明所...
- 苗瑞霞杨婷徐嘉文李杰李建良陈晓慧
- 文献传递
- 提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
- 本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是：(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀，刻蚀温度为480℃～520℃，刻蚀时间为10...
- 苗瑞霞张玉明汤晓艳张义门
- 文献传递
- 4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究
- 以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽带隙半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,特别适合制作高温、高压、大功率、耐辐照等半导体器件。其中4H-SiC材料以其优异的特性引起人们的广泛重...
- 苗瑞霞
- 关键词：半导体材料碳化硅
- 一种石墨烯薄膜衬底的制备方法及其应用
- 本发明公开了一种石墨烯薄膜衬底的制备方法，方法包括以下步骤：步骤S1、对石英衬底进行预处理；步骤S2、将经过预处理的石英衬底置于磁控溅射靶材底座上，采用磁控溅射法于石英衬底上形成SiO2纳米颗粒；步骤S3、将经磁控溅射处...
- 苗瑞霞王少青赵晨鹤束体康
- 文献传递
- 低位错密度的XRD无损表征研究被引量：3
- 2015年
- 当半导体材料中位错密度大于107cm-2,难以用传统的腐蚀法进行测量时,可以利用高分辨X射线衍射(XRD)峰的半高宽估算材料中位错密度。该文利用该方法研究了位错密度小于107cm-2时是否适用的问题。结果表明,材料中位错密度较低(5.3×105cm-2)时,利用XRD测得的位错密度值与实际值存在3个数量级的偏差。分析认为,当晶体中位错密度较低时,参与衍射的晶面就越多,衍射峰就越窄,当位错加宽值与仪器精度接近时,就会产生较大偏差。因此在低密度位错时,利用XRD方法测量材料中位错密度时容易产生较大偏差。
- 苗瑞霞
- 关键词：XRD4H-SIC位错密度
