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氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响(英文)被引量：1: 2010年; 使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度。在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光。500600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷。使用PLD得到纳米柱状结构表明：优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件。; 汪壮兵王莉吴春艳于永强胡治中梁齐许小亮揭建胜; 关键词：蓝移

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法: 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电...; 吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法: 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电...; 吴春艳揭建胜王莉于永强胡治中张梓晗周国方; 文献传递

一种微区可控纳米功能材料合成加热装置: 本发明涉及一种微区可控纳米功能材料合成加热装置，解决了现有纳米功能材料合成设备存在的体积庞大、耗能、耗时、合成方法单一且可控性差的问题。本发明包括矩形盒体和盒盖，盒体相对应的两侧壁上分别设有进气接口和出气接口，另两侧壁上...; 揭建胜胡治中吴春艳王莉于永强; 文献传递

一种微区可控纳米功能材料合成加热装置: 本发明涉及一种微区可控纳米功能材料合成加热装置，解决了现有纳米功能材料合成设备存在的体积庞大、耗能、耗时、合成方法单一且可控性差的问题。本发明包括矩形盒体和盒盖，盒体相对应的两侧壁上分别设有进气接口和出气接口，另两侧壁上...; 揭建胜胡治中吴春艳王莉于永强; 文献传递

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胡治中