石自彬
- 作品数：45 被引量：39H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金重庆市科委基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 一种钽酸锂黑片的回收再利用方法
- 本发明公开了一种钽酸锂黑片的回收再利用方法，将待处理的不合格钽酸锂黑片放置于热处理炉中，在氧气气氛下，在400℃至钽酸锂居里温度范围内进行热处理，冷却即得到钽酸锂白片；钽酸锂白片再次经过黑化处理得到钽酸锂黑片，从而完成不...
- 龙勇于明晓石自彬丁雨憧徐扬李和新
- 一种水溶性晶片粘接剂
- 本发明公开了一种水溶性晶片粘接剂，由如下质量份的四种组份构成，阿拉伯树胶100；纯水160‑185；铝矾15‑30；甘油15‑25。制备方法为：a）称取与阿拉伯树胶质量相当的纯水并加热到60℃以上，然后加入粉状的阿拉伯树...
- 胡吉海石自彬罗夏林
- 文献传递
- 频率控制与选择用压电和介电器件 术语 第4-4部分：材料 声表面波器件用材料
- 本标准规定了最新的声表面波器件用单晶晶片的术语和定义。
- 主要 章怡石自彬李勇
- 铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究
- 2016年
- 以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。
- 龙勇石自彬于明晓李和新徐扬付昌禄
- 关键词：多晶合成提拉法
- 一种离子源维护方法
- 本发明公开了一种离子源维护方法，具体包括以下步骤：S1：将离子源从离子注入机中取出，并将离子源拆解为分离的离子源组件；S2：对附有沉积物和变色的离子源组件进行喷砂处理，喷砂处理后，对离子源组件上残留的沉积物进行打磨处理；...
- 龙勇肖梦涵丁雨憧石自彬陈哲明刘善琼邹少红
- 钽酸锂黑片的制备与性能研究被引量：2
- 2019年
- 为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
- 龙勇于明晓李和新石自彬王璐丁雨憧徐扬吴兆刚
- 关键词：钽酸锂电阻率均匀性晶片
- 无序Nd：CNGG晶体的生长及激光性能研究被引量：2
- 2008年
- 本文报道了无序晶体Nd:CNGG的生长及其激光性能。采用提拉法成功生长了绿色、透明的大尺寸Nd:CNGG晶体。在He-Ne激光器照射下,未发现散射颗粒。在半导体激光器泵浦的条件下,我们研究了其1.06μm的连续激光输出性能。在8.56 W泵浦的情况下,得到1.52 W的激光输出。
- 石自彬方新于永贵于浩海张怀金王正平王继扬
- 关键词：提拉法连续激光输出
- 硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究
- 2024年
- 5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。
- 陈哲明丁雨憧邹少红龙勇石自彬马晋毅
- 关键词：兆声清洗声表面波滤波器
- 一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法
- 本发明公开了一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法，依次包括如下步骤，毛坯晶片腐蚀；毛坯晶片打毛；打毛后的晶片再腐蚀；晶片非加工面粘接；抛光面细磨、精磨；晶片分离并腐蚀；倒角；两晶片非抛光面粘接；抛光面粗抛；CMP精抛；...
- 胡吉海石自彬周益民罗传英唐荣安陈新华
- 文献传递
- 一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法
- 本发明公开了一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法，包括如下步骤：1）将若干待处理的LuYAP晶体置于加热炉中，2）先将炉内温度从室温下加热到500℃，然后再加热到保温温度1000‑1600℃；3）在保温温度下保温2h...
- 石自彬岑伟李和新徐扬龙勇
- 文献传递
