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徐扬

作品数:44 被引量:27H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:重庆市科委基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 32篇专利
  • 12篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 19篇晶体
  • 7篇闪烁晶体
  • 7篇提拉法
  • 6篇组装方法
  • 6篇夹具
  • 6篇PET
  • 5篇闪烁体
  • 5篇
  • 5篇
  • 4篇抛光
  • 4篇轴向
  • 4篇装夹
  • 4篇螺杆
  • 4篇晶体生长
  • 4篇光学
  • 4篇CE
  • 3篇单畴
  • 3篇导杆
  • 3篇粘接
  • 3篇热处理炉

机构

  • 44篇中国电子科技...

作者

  • 44篇徐扬
  • 24篇丁雨憧
  • 21篇龙勇
  • 17篇付昌禄
  • 16篇石自彬
  • 16篇李德辉
  • 15篇王佳
  • 15篇胡吉海
  • 10篇蒋春健
  • 10篇尹红
  • 10篇罗夏林
  • 8篇李和新
  • 8篇于明晓
  • 5篇李忠继
  • 4篇李金
  • 4篇岑伟
  • 3篇赵晓东
  • 2篇李丽
  • 2篇王璐
  • 2篇胡少勤

传媒

  • 12篇压电与声光

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究
2016年
以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。
龙勇石自彬于明晓李和新徐扬付昌禄
关键词:多晶合成提拉法
晶体打磨用抛光头结构
本发明公开了一种晶体打磨用抛光头结构,包括圆柱形的抛光头,抛光头一端固定有驱动轴,另一端安装有抛光布,所述抛光布为圆片状并大于抛光头的端面大小,抛光布的中心与抛光头端面中心对应,抛光布周围超出抛光头端面的部分翻折后与抛光...
罗夏林王佳丁雨憧徐扬胡吉海
文献传递
一种声光晶块的批量倒角夹具
本发明公开了一种声光晶块的批量倒角夹具,包括外框架、定位块体、端头挡板、压板和橡胶垫,外框架上表面具有一安装槽,定位块体固定安装在安装槽内;定位块体上表面形成有由端部凸起和中心凸起构成的T型凸起结构,定位块体上表面中心凸...
罗夏林徐扬胡吉海李德辉李永涛
文献传递
钽酸锂黑片的制备与性能研究被引量:2
2019年
为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
龙勇于明晓李和新石自彬王璐丁雨憧徐扬吴兆刚
关键词:钽酸锂电阻率均匀性晶片
大面积闪烁晶体阵列组装装置及其组装方法
本发明提供了一种大面积闪烁晶体阵列组装装置及利用该组装装置的大面积闪烁晶体阵列组装方法,所述方法包括如下步骤:分别转动第一螺杆、该第二螺杆、该第三螺杆及该第四螺杆,以形成第二定型空间;将单位晶体填充于该第二定型空间内,以...
龙勇徐扬李德辉尹红李忠继付昌禄蒋春健
文献传递
可调式产品装夹框结构
本发明公开了一种可调式产品装夹框结构,包括装夹外框架和内部隔挡件;所述装夹外框架为圆柱体形并沿轴向中心设置有矩形通孔,所述矩形通孔每边中心均设置有一组切割带,通过旋转贯穿切割带的调节螺钉调整矩形通孔的大小;所述内部隔挡件...
罗夏林王佳丁雨憧徐扬胡吉海
文献传递
PET机晶体阵列组装装置
本实用新型提供一种PET机晶体阵列组装装置,包括基座、两晶体阵列定型件、两螺杆、导杆、晶体定位件及压合组件。两晶体阵列定型件可滑动地设于该基板上;螺杆被转动时可驱动晶体阵列定型件沿基板滑动以将两容置槽合并形成一用于容置P...
徐扬龙勇李德辉尹红李忠继付昌禄蒋春健
文献传递
一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法
本发明公开了一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法,包括如下步骤:1)将若干待处理的LuYAP晶体置于加热炉中,2)先将炉内温度从室温下加热到500℃,然后再加热到保温温度1000‑1600℃;3)在保温温度下保温2h...
石自彬岑伟李和新徐扬龙勇
文献传递
闪烁晶体发光衰减时间的测量方法及测量系统
本发明公开了一种闪烁晶体发光衰减时间的测量方法及测量系统,测量方法的步骤包括:S1、放射源产生的高能辐射在闪烁晶体中产生闪烁光子,然后被光电倍增管收集和倍增并通过光电效应转换成电信号,示波器读取光电倍增管的电信号而得到关...
张泽涛王强丁雨憧王璐屈菁菁董鸿林甘禹李金徐扬
文献传递
CAS晶体生长与习性研究被引量:1
2018年
采用中频感应上称重提拉技术对Ca_2Al_2SiO_7(CAS)压电晶体进行了生长,研究了不同转速及生长方向下晶体的生长习性,从理论上分析了转速和生长方向对晶体形貌的影响。结果表明,晶体外形随转速的增加,其形貌由圆柱状变为正方形,再变为长方形,当转速到一定临界值时,晶体呈多晶状;随晶体生长方向的不同,晶体有不同的显露方向,并都有强的显露面(001)。对晶体不同显露方向进行了X线衍射分析,且对(001)面进行回摆测试。结果表明,晶体结构完整,结晶性能好。
龙勇于明晓石自彬丁雨憧王佳徐扬付昌禄
关键词:压电传感器提拉法生长习性
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