您的位置: 专家智库 > >

李和新

作品数:33 被引量:36H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金重庆市科委基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 19篇晶体
  • 12篇晶体生长
  • 9篇提拉法
  • 8篇压电
  • 8篇压电性
  • 7篇
  • 6篇电性能
  • 6篇压电性能
  • 5篇闪烁晶体
  • 5篇铈掺杂
  • 5篇
  • 5篇掺杂
  • 4篇单晶
  • 4篇视觉
  • 4篇钽酸锂
  • 4篇无色
  • 4篇硅酸钇
  • 3篇单畴
  • 3篇人造石英
  • 3篇石英晶体

机构

  • 29篇中国电子科技...
  • 4篇四川压电与声...

作者

  • 33篇李和新
  • 17篇石自彬
  • 14篇龙勇
  • 12篇丁雨憧
  • 11篇王佳
  • 9篇岑伟
  • 8篇徐扬
  • 8篇于明晓
  • 7篇胡少勤
  • 6篇漆婷
  • 5篇蒋春健
  • 5篇付昌禄
  • 3篇吴兆刚
  • 3篇刘军
  • 2篇谢克诚
  • 2篇冯大建
  • 1篇赵启鹏
  • 1篇陈淑芬
  • 1篇王璐
  • 1篇李德辉

传媒

  • 11篇压电与声光
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇第14届全国...
  • 1篇中国硅酸盐学...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 2篇2003
  • 1篇1997
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
本发明公开了一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法,是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在含氢的气氛下加热一段时间,将Ce<Sup>4+</Sup>还原为Ce<Sup>3+</Sup>,使晶...
岑伟李和新王佳
文献传递
钽酸锂黑片的制备与性能研究被引量:2
2019年
为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
龙勇于明晓李和新石自彬王璐丁雨憧徐扬吴兆刚
关键词:钽酸锂电阻率均匀性晶片
一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
本发明公开了一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法,是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在中性的气氛下加热一段时间,使铈掺杂硅酸钇镥晶体中的氧扩散出来以将Ce<Sup>4+</Sup>变为C...
岑伟李和新王佳
文献传递
一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法
本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法,本方法采用单晶炉制备,单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区,在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置,并通过加料装置...
顾跃丁雨憧杲星李和新
La_3Ga_5SiO_(14)晶体生长研究被引量:1
2003年
报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。
蒋春健胡少勤吴兆刚李和新
关键词:晶体直拉法压电性能
一种钽酸锂黑片的回收再利用方法
本发明公开了一种钽酸锂黑片的回收再利用方法,将待处理的不合格钽酸锂黑片放置于热处理炉中,在氧气气氛下,在400℃至钽酸锂居里温度范围内进行热处理,冷却即得到钽酸锂白片;钽酸锂白片再次经过黑化处理得到钽酸锂黑片,从而完成不...
龙勇于明晓石自彬丁雨憧徐扬李和新
铽镓石榴石晶体多晶合成与单晶生长研究
2016年
以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简称TGG)多晶料。使用提拉法(CZ)成功生长出44mm×70mm,外观完整无开裂、无螺旋的TGG晶体。经X线衍射分析、密度测试、晶体成分测试表明,生长的晶体结构完整,结晶性好;晶体的密度为7.14g/cm3,与理论值接近;晶体中Tb与Ga摩尔比为66%,可能存在少量Ga空位。
龙勇石自彬于明晓李和新徐扬付昌禄
关键词:多晶合成提拉法
一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚
本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚,包括坩埚本体,在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽,籽晶槽与晶体生长槽连通,坩埚本体呈长方体结构,晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm,晶体生长槽整...
田野顾跃丁雨憧李和新刘军
高频SAW器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究被引量:1
1997年
高频SAW器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正(四川压电与声光技术研究所,重庆630060)ResearchonSubboundaryFreeLiNbO3SingleCrystalUsedforHighFrequen...
陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正
关键词:压电晶体铌酸锂晶体引上法晶体生长单晶
大尺寸Y方向钽酸镓镧压电晶体生长及性能研究被引量:2
2020年
成功采用提拉法生长了尺寸φ80 mm×100 mm的Y方向钽酸镓镧压电晶体,晶体整体透明、无包裹体。采用LCR电桥测量了晶体的相对介电常数,采用谐振-反谐振法测量了压电应变常数。研究了头尾之间性能差异性,头尾频率常数均匀性达到99.95%,表明晶体存在良好的性能均匀性。此外,还对(010)晶面进行了摇摆曲线和频率温度系数测试,测得FHMW和TCF值分别为38.5″、1.23ppm/K。
石自彬李和新龙勇丁雨憧
关键词:提拉法压电性能
共4页<1234>
聚类工具0