王怀兵
- 作品数：10 被引量：41H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点学科建设项目北京市教委重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2
- 2006年
- 利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积
- p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：23
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积
- 金属氧化物或合金薄膜的化学气相淀积方法及装置
- 本发明金属氧化物或合金薄膜的气溶胶源等离子化学气相淀积方法及装置,特征在以金属有机化合物或金属无机盐的溶液为前驱源,添加适量的反应促进剂和表面活性剂,超声雾化后以载气载带至淀积反应区;借助等离子体活化、分解成金属氧化物并...
- 孟广耀王怀兵夏长荣彭定坤
- 文献传递
- 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
- 生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性被引量：2
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军沈光地
- Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：8
- 2007年
- 采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.
- 李彤王怀兵刘建平牛南辉张念国邢艳辉韩军刘莹高国沈光地
- 关键词：氮化镓LEDSMOCVD
- InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
- 2008年
- 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。
- 牛南辉王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：铟镓氮X射线双晶衍射原子力显微镜金属有机物化学气相淀积
- 气溶胶质源气相沉积制备固体氧化物燃料电池薄膜
- 该文以制备薄膜型固体氧化物燃料电池的目的,采用气溶胶源替代传统的气体源或固体挥发物源,利用气相沉积技术来制备薄膜型燃料电池部件.并对源物质的性质、气溶胶源沉积工艺、薄膜性能进行了研究.
- 王怀兵
- 关键词：固体氧化物燃料电池
- 文献传递
- 高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaNMg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaNMg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉张念国李彤邢艳辉韩军郭霞沈光地
- 关键词：光致发光金属有机物化学气相沉积
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究被引量：5
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军郭霞沈光地
- 关键词：发光二极管(LED)
