刘建平
- 作品数：14 被引量：53H指数：5
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学社会学经济管理更多>>
- 镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2
- 2006年
- 利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积
- 工作流技术在电子政务系统中的应用研究
- 该文旨在对工作流技术与电子政务系统进行分析、确定北京市市政管理委员会电子政务系统解决方案并进行实施方案设计.论文的中心目标是:对现有工作流产品、技术和电子政务系统进行分析,根据北京市市政管理委员会电子政务系统工作流程特点...
- 刘建平
- 关键词：计算机应用电子政务工作流J2EE
- 文献传递
- p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：23
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积
- 等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
- 2008年
- 为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N_2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N_2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH_3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.
- 达小丽沈光地刘建平牛南辉朱彦旭梁庭邹德恕郭霞
- 关键词：光电子半导体材料发光二极管
- 生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性被引量：2
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军沈光地
- InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：5
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比。研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响。此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化。
- 沈光地张念国刘建平牛南辉李彤邢艳辉林巧明郭霞
- 关键词：MOCVD
- Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：8
- 2007年
- 采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.
- 李彤王怀兵刘建平牛南辉张念国邢艳辉韩军刘莹高国沈光地
- 关键词：氮化镓LEDSMOCVD
- 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
- 垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性被引量：6
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In的样品界面质量变差,但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度,带边峰与黄光峰强度之比增大,降低了表面粗糙度.利用这两种结构制备了相应的发光二极管(LED)样品.通过电荧光测量可知,垒掺In的LED比非掺In的LED有较高的发光强度和相对均匀的波长,这主要是由于垒掺In后降低了阱与垒之间晶格失配的应力,从而降低了极化电场,提高了辐射复合效率.
- 邢艳辉韩军刘建平邓军牛南辉沈光地
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱X射线双晶衍射原子力显微镜光致发光
- InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
- 2008年
- 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。
- 牛南辉王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：铟镓氮X射线双晶衍射原子力显微镜金属有机物化学气相淀积
