杨新荣
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响
- 液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶(LEC SI-GaAs)被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料,成为当代信息产业的重要材料之一.随着器件向更大功率、更大集成度的发展,对材料衬底的均匀性、微区均匀性,提出了更高的要求...
- 杨新荣
- 关键词：半绝缘砷化镓位错碳EL2
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究被引量：4
- 2005年
- 通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究 .实验结果表明 ,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响 .高密度位错区 ,位错形成较小的胞状结构 ,且胞内不存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈U型分布 ;较低密度位错区 ,胞状结构直径较大 ,且胞内存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈W型分布 .
- 徐岳生杨新荣王海云唐蕾刘彩池魏欣覃道志
- 关键词：半绝缘砷化镓晶体生长
- 非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响
- 本文通过AB腐蚀、KOH腐蚀,金相显微镜观察,电子探针X射线微区分析(EPMA),对LEC法生长的非掺半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中,位错分布对碳微区分布的影响进行了分析,实验结果表明位错不同分布形态对碳微区分布的...
- 杨新荣王海云刘彩池徐岳生
- 关键词：砷化镓
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
- 2004年
- 通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构 ,该结构的胞壁区碳含量高 ,近胞壁区次之 ,剥光区碳含量低于检测限。
- 徐岳生杨新荣郭华锋唐蕾刘彩池王海云魏欣
- 关键词：SI-GAAS位错碳含量能谱分析
