唐蕾
- 作品数：7 被引量：21H指数：4
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：10
- 2003年
- 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构 ,并且位错和微缺陷之间 ,有着强烈的相互作用 ,位错吸附微缺陷 ,微缺陷缀饰位错 .
- 徐岳生张春玲刘彩池唐蕾王海云郝景臣
- 关键词：SI-GAAS微缺陷位错
- 半导体材料晶体的等效微重力生长
- 本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
- 徐岳生刘彩池王海云唐蕾
- 关键词：半导体材料晶体生长砷化镓
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究被引量：4
- 2005年
- 通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究 .实验结果表明 ,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响 .高密度位错区 ,位错形成较小的胞状结构 ,且胞内不存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈U型分布 ;较低密度位错区 ,胞状结构直径较大 ,且胞内存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈W型分布 .
- 徐岳生杨新荣王海云唐蕾刘彩池魏欣覃道志
- 关键词：半绝缘砷化镓晶体生长
- 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构被引量：5
- 2004年
- 通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑 ,分析了该结构的形成机理与过程 .认为这是由高密度位错 (EPD)
- 徐岳生唐蕾王海云刘彩池郝景臣
- 关键词：小角度晶界电子显微技术砷化镓晶体X射线衍射分析半绝缘砷化镓
- 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
- 2004年
- 通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构 ,该结构的胞壁区碳含量高 ,近胞壁区次之 ,剥光区碳含量低于检测限。
- 徐岳生杨新荣郭华锋唐蕾刘彩池王海云魏欣
- 关键词：SI-GAAS位错碳含量能谱分析
- 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究被引量：8
- 2004年
- 砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAs多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。
- 王海云张春玲唐蕾刘彩池申玉田徐岳生覃道志
- 关键词：砷化镓SI-GAAS单晶微缺陷
- 半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究
- 该课题采用择优腐蚀法、X射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和能量色散谱等实验方法研究SI-GaAs单晶的位错与微缺陷.发现几乎所有高位错密度的SI-GaAs单晶的表层都具有网络状胞状结构或系属结构,首次对该胞状结构和系...
- 唐蕾
- 关键词：半绝缘砷化镓微缺陷
- 文献传递
