张春玲
- 作品数：5 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 半绝缘砷化镓中微缺陷的研究
- 近几年国内外GaAs 工作者虽然对GaAs微缺陷进行了研究,但多是针对一个方面,并且对微缺陷的定义和物理实质的解释之间均存在矛盾.该课题的目的在揭示SI-GaAs中微缺陷的物理实质,研究微缺陷在晶片上的分布规律以及与位错...
- 张春玲
- 关键词：半绝缘砷化镓微缺陷位错
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：10
- 2003年
- 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构 ,并且位错和微缺陷之间 ,有着强烈的相互作用 ,位错吸附微缺陷 ,微缺陷缀饰位错 .
- 徐岳生张春玲刘彩池唐蕾王海云郝景臣
- 关键词：SI-GAAS微缺陷位错
- 家族企业女性成员发展案例研究：以Z总遇到的管理问题为例
- 作为企业的一种存在形式，家族企业在国内外的经济领域中占有70％左右。随着世界经济一体化和全球化进程的加快以及我国市场经济的不断深入发展，家族企业己经成为社会主义市场经济体制中的一个重要组成部分，但同时也面临诸多问题。家族...
- 张春玲
- 关键词：家族企业
- 文献传递
- 砷化镓体单晶中缺陷及其腐蚀、分析法
- 本文描述了砷化镓单晶中缺陷的种类及其对器件性能的影响,并简介其腐蚀、分析法.
- 张春玲王海云张雯徐岳山
- 关键词：砷化镓单晶
- 文献传递
- 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究被引量：8
- 2004年
- 砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAs多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。
- 王海云张春玲唐蕾刘彩池申玉田徐岳生覃道志
- 关键词：砷化镓SI-GAAS单晶微缺陷
