魏欣
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究被引量：4
- 2005年
- 通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究 .实验结果表明 ,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响 .高密度位错区 ,位错形成较小的胞状结构 ,且胞内不存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈U型分布 ;较低密度位错区 ,胞状结构直径较大 ,且胞内存在孤立位错 ,碳在单个胞内呈W型分布 .
- 徐岳生杨新荣王海云唐蕾刘彩池魏欣覃道志
- 关键词：半绝缘砷化镓晶体生长
- 半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS夹断电压
- LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
- 2004年
- 用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS跨导位错PL
- 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
- 2004年
- 通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构 ,该结构的胞壁区碳含量高 ,近胞壁区次之 ,剥光区碳含量低于检测限。
- 徐岳生杨新荣郭华锋唐蕾刘彩池王海云魏欣
- 关键词：SI-GAAS位错碳含量能谱分析
