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徐学武
作品数:
10
被引量:31
H指数:4
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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发文基金:
上海市青年科技启明星计划
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相关领域:
理学
电子电信
文化科学
冶金工程
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合作作者
廖晶莹
中国科学院上海硅酸盐研究所
沈炳孚
中国科学院上海硅酸盐研究所
何崇藩
中国科学院上海硅酸盐研究所
邵培发
中国科学院上海硅酸盐研究所
陈显求
中国科学院上海硅酸盐研究所
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晶体
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晶体生长
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坩埚下降法
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下降法
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SIO
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BI
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坩埚下降法生...
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铌酸钾锂晶体
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光折变
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光折变晶体
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机构
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中国科学院
作者
10篇
徐学武
7篇
廖晶莹
6篇
沈炳孚
4篇
邵培发
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何崇藩
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王腊妹
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万立瑾
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陈显求
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徐家跃
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周乐平
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孙仁英
1篇
林雅芳
1篇
范世
传媒
2篇
无机材料学报
2篇
人工晶体学报
1篇
硅酸盐学报
1篇
功能材料
年份
1篇
2000
1篇
1999
1篇
1998
1篇
1996
2篇
1994
2篇
1993
1篇
1992
1篇
1991
共
10
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硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
徐学武
周乐中
万立瑾
王腊妹
彭兆娟
文献传递
Bi_(12)SiO_(20)晶体生长及其形态
被引量:4
1992年
采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文中揭示了不同取向生长 BSO 单晶的形态显露规律,并从晶体结构和晶体生长形态学的角度分析讨论了生长过程中 BSO 晶体的形态演变,指出极性{112}晶面的存在是〈110〉、〈111〉晶体生长过程中形态演变的内在原因。选择适合的转速、保证晶体在良好的晶形下生长是生长质量高、利用率高的 BSO 大单晶的关键。
徐学武
沈炳孚
廖晶莹
陈显求
何崇藩
关键词:
硅酸铋晶体
引上法
晶体生长
Bi12SiO20单晶生长及其缺陷
徐学武
关键词:
晶体生长
单晶
Bi_(12)SiO_(20)晶体核芯的形成和消除
被引量:3
1994年
对于沿〈001〉、〈110〉、〈111〉、和〈112〉4种取向提拉法生长的直径为35mm的BSO晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了BSO晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速,使晶体以平的或凹的界面生长,可消除〈001〉和〈110〉取向生长的BSO晶体中的核芯:选择〈111〉和〈112〉取向生长则能有效地避免深色小面核芯的形成。此外还讨论了生长条纹、组分过冷、应力和位错等缺陷问题。
徐学武
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
陈显求
何崇藩
关键词:
硅酸铋
光折变晶体
铌酸钾锂晶体的生长技术
被引量:3
2000年
铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体 ,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展 ,比较了不同生长方法的优缺点 ,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。
徐家跃
范世马岂
徐学武
关键词:
铌酸钾锂晶体
全文增补中
硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))晶体生长的研究进展
被引量:16
1994年
本文介绍了光折变晶体BSO生长研究的国内外进展.对BSO晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述.讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍BSO晶体批量生产的几种因素.指出坩埚下降法在实现大尺寸优质BSO晶体的批量生产方面已显示出优越性,它应该成为今后BSO晶体生长研究的一个重要发展方向.
徐学武
廖晶莹
关键词:
硅酸铋
晶体生长
铌酸钾锂晶体的生长研究
被引量:4
1998年
首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0<x<0.5),探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体.
徐家跃
孙仁英
林雅芳
范世
徐学武
关键词:
坩埚下降法
晶体生长
非线性光学
钨酸铅(PbWO<Sub>4</Sub>)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
周乐平
万立瑾
彭兆娟
王腊妹
徐学武
文献传递
Bi_(12)SiO_(20)晶体的小面生长
被引量:4
1993年
本文用“倾倒法”获得了光折变晶体 Bi_(12)SiO_(20)(简称 BSO)沿<001>、<110>、<111>及<112>四种取向提拉生长的不同过程中固液界面的形态。对凸形固液界面上出现的小面(奇异面)进行了宏观观测和极图分析,确定它们是{110}和{001}面簇。计算了不同取向生长时出现各小面的凸形固液界面的曲率半径,指出<111>和<112>取向生长有利于避免小面的出现。最后,从晶体生长动力学的角度定性说明了提拉生长的 BSO 晶体形态。
徐学武
廖晶莹
沈炳孚
陈显求
何崇藩
关键词:
晶体生长
光折变晶体
坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
周乐平
万立瑾
彭兆娟
王腊妹
徐学武
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