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徐学武

作品数:10 被引量:31H指数:4
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学冶金工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇冶金工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇晶体
  • 5篇晶体生长
  • 4篇坩埚下降法
  • 4篇下降法
  • 4篇硅酸
  • 4篇硅酸铋
  • 4篇SIO
  • 4篇BI
  • 4篇12
  • 3篇坩埚下降法生...
  • 2篇折变
  • 2篇闪烁晶体
  • 2篇生长温度
  • 2篇铌酸钾锂晶体
  • 2篇钨酸
  • 2篇钨酸铅
  • 2篇光折变
  • 2篇光折变晶体
  • 2篇衬模
  • 1篇单晶

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇徐学武
  • 7篇廖晶莹
  • 6篇沈炳孚
  • 4篇邵培发
  • 4篇何崇藩
  • 3篇王腊妹
  • 3篇万立瑾
  • 3篇陈显求
  • 2篇徐家跃
  • 2篇周乐平
  • 1篇孙仁英
  • 1篇林雅芳
  • 1篇范世

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
文献传递
Bi_(12)SiO_(20)晶体生长及其形态被引量:4
1992年
采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文中揭示了不同取向生长 BSO 单晶的形态显露规律,并从晶体结构和晶体生长形态学的角度分析讨论了生长过程中 BSO 晶体的形态演变,指出极性{112}晶面的存在是〈110〉、〈111〉晶体生长过程中形态演变的内在原因。选择适合的转速、保证晶体在良好的晶形下生长是生长质量高、利用率高的 BSO 大单晶的关键。
徐学武沈炳孚廖晶莹陈显求何崇藩
关键词:硅酸铋晶体引上法晶体生长
Bi12SiO20单晶生长及其缺陷
徐学武
关键词:晶体生长单晶
Bi_(12)SiO_(20)晶体核芯的形成和消除被引量:3
1994年
对于沿〈001〉、〈110〉、〈111〉、和〈112〉4种取向提拉法生长的直径为35mm的BSO晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了BSO晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速,使晶体以平的或凹的界面生长,可消除〈001〉和〈110〉取向生长的BSO晶体中的核芯:选择〈111〉和〈112〉取向生长则能有效地避免深色小面核芯的形成。此外还讨论了生长条纹、组分过冷、应力和位错等缺陷问题。
徐学武廖晶莹沈炳孚邵培发陈显求何崇藩
关键词:硅酸铋光折变晶体
铌酸钾锂晶体的生长技术被引量:3
2000年
铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体 ,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展 ,比较了不同生长方法的优缺点 ,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。
徐家跃范世马岂徐学武
关键词:铌酸钾锂晶体
全文增补中
硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))晶体生长的研究进展被引量:16
1994年
本文介绍了光折变晶体BSO生长研究的国内外进展.对BSO晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述.讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍BSO晶体批量生产的几种因素.指出坩埚下降法在实现大尺寸优质BSO晶体的批量生产方面已显示出优越性,它应该成为今后BSO晶体生长研究的一个重要发展方向.
徐学武廖晶莹
关键词:硅酸铋晶体生长
铌酸钾锂晶体的生长研究被引量:4
1998年
首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0<x<0.5),探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体.
徐家跃孙仁英林雅芳范世徐学武
关键词:坩埚下降法晶体生长非线性光学
钨酸铅(PbWO<Sub>4</Sub>)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹沈炳孚邵培发周乐平万立瑾彭兆娟王腊妹徐学武
文献传递
Bi_(12)SiO_(20)晶体的小面生长被引量:4
1993年
本文用“倾倒法”获得了光折变晶体 Bi_(12)SiO_(20)(简称 BSO)沿<001>、<110>、<111>及<112>四种取向提拉生长的不同过程中固液界面的形态。对凸形固液界面上出现的小面(奇异面)进行了宏观观测和极图分析,确定它们是{110}和{001}面簇。计算了不同取向生长时出现各小面的凸形固液界面的曲率半径,指出<111>和<112>取向生长有利于避免小面的出现。最后,从晶体生长动力学的角度定性说明了提拉生长的 BSO 晶体形态。
徐学武廖晶莹沈炳孚陈显求何崇藩
关键词:晶体生长光折变晶体
坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹沈炳孚邵培发周乐平万立瑾彭兆娟王腊妹徐学武
文献传递
共1页<1>
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