沈炳孚
- 作品数：26 被引量：58H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学核科学技术天文地球一般工业技术更多>>
- 高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长被引量：10
- 2002年
- 用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．
- 杨培志廖晶莹沈炳孚邵培发倪海红方全兴殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体坩埚下降法
- Y^(3+):PbWO_4晶体低剂量辐照行为研究
- 2002年
- 三价稀土离子(Ｌａ３＋、Ｌｕ３＋和Ｙ３＋等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Ｙ３＋掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感 本研究挑选了存在这一现象的Ｙ３＋:ＰｂＷＯ４晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在４００~５００ｕｍ波段附近的透过率变化有关;生长态Ｙ３＋:ＰＷＯ晶体中导致４３０ｕｍ吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有“漂白”作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础．
- 张昕廖晶莹袁辉沈炳孚邵培发李长泉殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体掺杂钇
- 钨酸铅晶体生长及其组份挥发被引量：32
- 1997年
- 本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体；研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发，得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3，并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究．
- 廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体X线发光性晶体生长
- PbWO_4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析被引量：1
- 1997年
- 本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体的热膨胀系数测量结果，讨论了热膨胀对晶体开裂的影响．同时探讨了克服晶体开裂的途径．由于生长时纵向温场效应以及（PWO）晶体大的热膨胀系数和它的显著的各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素．
- 廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体热膨胀晶体生长
- 退火处理对PbWO_4晶体闪烁性能的影响被引量：5
- 1999年
- 本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO4晶体经退火处理后，对X射线激发发射谱、透过谱以及抗辐照损伤能力的影响．指出PbWO4晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后，闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善．
- 廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
- 关键词：晶体退火钨酸铅
- 坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚邵培法童乃柱袁辉谢建军杨培志周乐平方全兴倪海洪刘光煜李培俊薛志麟熊巍展宗贵陈良朱祥宇
- 该项目设计并建造了多台能满足批量PWO晶体生长要求的多坩埚下降法晶体生长炉，一个炉次能同时生长28根大尺寸PWO晶体；通过研究杂质离子对PWO晶体闪烁性能的影响，确定了原料中的有害杂质离子，通过工艺控制，获得了高纯原料P...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅大尺寸
- Pb_2MoO_5单晶的生长被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了用电阻加热提拉方法生长出２５×６０ｍｍ透明Ｐｂ２ＭｏＯ５声光单晶；用Ｘ射线粉末衍射测定了Ｐｂ２ＭｏＯ５的结构；测定结果表明，Ｐｂ２ＭｏＯ５的结构与单斜晶系一致；证实其解理面为（２０１－）面。调整原料组分和采用适宜的生长条件。
- 廖晶莹沈炳孚邵培发
- 关键词：引上法晶体生长声光晶体
- 大尺寸PWO:(Mo,Y)晶体发光均匀性的研究被引量：2
- 2005年
- 报道了用改进的Bridgman法生长的大尺寸PbWO4:(Mo,Y)晶体发光均匀性的表征研究。通过对大尺寸的PbWO4:(Mo,Y)晶体不同部位的透射光谱、X射线激发发射光谱、光产额和抗辐照损伤能力等光学和闪烁性能的测试,结果表明在实验所涉及的掺杂浓度范围,Mo、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的发光均匀性,增强其抗辐照损伤能力。
- 谢建军袁晖廖晶莹杨培志沈炳孚殷之文
- 关键词：下降法
- 异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
- 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F<Sup>-</Sup>和Sb<Sup>3+</Sup>离子双掺杂，在此基础上引入Mo<Sup>6+</Sup>，V<Sup>5+</...
- 严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇
- 文献传递
- 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
- 一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长，特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料，装入有晶种的铂金坩埚内，置于特殊设计的，能同时生长多根晶体的生长炉中，在...
- 何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
- 文献传递
