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邵培发

作品数:20 被引量:51H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇晶体
  • 16篇钨酸
  • 16篇钨酸铅
  • 11篇坩埚下降法
  • 11篇下降法
  • 10篇钨酸铅晶体
  • 5篇坩埚下降法生...
  • 5篇晶体生长
  • 5篇光产额
  • 5篇掺杂
  • 5篇产额
  • 5篇Y
  • 4篇离子
  • 3篇闪烁晶体
  • 3篇
  • 3篇铂金坩埚
  • 2篇生长温度
  • 2篇双掺杂
  • 2篇离子对
  • 2篇晶体生长过程

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇邵培发
  • 20篇沈炳孚
  • 20篇廖晶莹
  • 11篇殷之文
  • 9篇谢建军
  • 5篇倪海洪
  • 5篇袁晖
  • 4篇叶崇志
  • 4篇徐学武
  • 4篇张昕
  • 4篇李长泉
  • 4篇严东生
  • 4篇吴泓澍
  • 4篇李培俊
  • 4篇杨培志
  • 3篇王腊妹
  • 3篇万立瑾
  • 2篇周乐萍
  • 2篇朱翔宇
  • 2篇陈良

传媒

  • 7篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇上海先进无机...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 2篇1999
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长被引量:10
2002年
用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28min×28mm×360mm;晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001];下降速度 0.6~1.0mm/h;生长界面附近的温度梯度为20~30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率>60%;在360nm附近的透过率>25%.晶体的光输出>9p.e/MeV;光伤<5%.
杨培志廖晶莹沈炳孚邵培发倪海红方全兴殷之文
关键词:钨酸铅晶体坩埚下降法
Pb_2MoO_5单晶的生长被引量:1
1997年
本文介绍了用电阻加热提拉方法生长出25×60mm透明Pb2MoO5声光单晶;用X射线粉末衍射测定了Pb2MoO5的结构;测定结果表明,Pb2MoO5的结构与单斜晶系一致;证实其解理面为(201-)面。调整原料组分和采用适宜的生长条件。
廖晶莹沈炳孚邵培发
关键词:引上法晶体生长声光晶体
异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法,属于晶体生长领域。本发明用F<Sup>-</Sup>和Sb<Sup>3+</Sup>离子双掺杂,在此基础上引入Mo<Sup>6+</Sup>,V<Sup>5+</...
严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇
文献传递
Y^(3+):PbWO_4晶体低剂量辐照行为研究
2002年
三价稀土离子(La3+、Lu3+和Y3+等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Y3+掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感 本研究挑选了存在这一现象的Y3+:PbWO4晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在400~500um波段附近的透过率变化有关;生长态Y3+:PWO晶体中导致430um吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有“漂白”作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础.
张昕廖晶莹袁辉沈炳孚邵培发李长泉殷之文
关键词:钨酸铅晶体掺杂
钨酸铅晶体生长及其组份挥发被引量:32
1997年
本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅(PWO)晶体;研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发,得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3,并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究.
廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
关键词:钨酸铅晶体X线发光性晶体生长
硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
文献传递
PbWO_4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析被引量:1
1997年
本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅(PWO)晶体的热膨胀系数测量结果,讨论了热膨胀对晶体开裂的影响.同时探讨了克服晶体开裂的途径.由于生长时纵向温场效应以及(PWO)晶体大的热膨胀系数和它的显著的各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素.
廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
关键词:钨酸铅晶体热膨胀晶体生长
PWO:(Y,Sb)晶体的生长和闪烁性能研究
本文报道了针对正电子发射计算机断层扫描(PET)应用的PWO:(Y,Sb)晶体的生长和闪烁性能研究情况.通过研究发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,PWO:(Y,Sb)晶体的光输出和在紫外可见区的光透过率要比纯的钨酸铅(...
谢建军杨培志廖晶莹袁晖沈炳孚邵培发殷之文
关键词:坩埚下降法光谱性能
文献传递
阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法,属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题,生长出光产额达到...
严东生殷之文廖晶莹沈炳孚童乃志邵培发袁晖谢建军叶崇志周乐萍李培俊吴泓澍杨培志倪海洪刘光煜
文献传递
退火处理对PbWO_4晶体闪烁性能的影响被引量:5
1999年
本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO4晶体经退火处理后,对X射线激发发射谱、透过谱以及抗辐照损伤能力的影响.指出PbWO4晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后,闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善.
廖晶莹沈炳孚邵培发殷之文
关键词:晶体退火钨酸铅
共2页<12>
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