张光超
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
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- 晶体硅中铜沉淀和镍沉淀的研究
- 在晶体硅材料制备和硅基器件制造过程中，过渡族金属铜(Cu)和镍(Ni)非常有可能沾污硅片。研究表明，铜和镍在硅中具有很高的扩散系数，并且固溶度随着温度降低而急剧下降，因此在硅片热处理后的冷却过程中容易形成金属沉淀，对硅器...
- 张光超
- 文献传递
- 直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究
- 2013年
- 本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂质铜,然后对样品分别进行普通热处理和快速热处理,通过腐蚀和光学显微镜研究发现,在700℃引入铜杂质后经过普通热处理和快速热处理都不会破坏洁净区,在900℃和1100℃引入铜杂质后经过普通热处理不会破坏洁净区,而经过快速热处理会破坏洁净区.研究表明,快速热处理可以使硅片体内产生大量的空位,空位的外扩散是破坏洁净区的主要原因.
- 张光超徐进
- 关键词：直拉单晶硅
- 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法
- 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃...
- 徐进吉川张光超谢婷婷
- 文献传递
- 铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响
- 2012年
- 研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.高三步洁净区生成热处理样品中,第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面.而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成.研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因.另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度.对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.
- 王永志徐进王娜婷吉川张光超
- 关键词：直拉单晶硅
