吉川
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
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- 硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片中铜沉淀的研究
- 吉川
- 硼掺杂直拉硅单晶p/p<Sup>+</Sup>外延片铜沾污后获得洁净区的方法
- 硼掺杂直拉硅单晶p/p<Sup>+</Sup>外延片铜沾污后获得洁净区的方法，涉及硅单晶p/p<Sup>+</Sup>外延片。1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl<Sub>2</Sub>溶液中进行铜沾污，然后分别在...
- 徐进谢婷婷吕耀朝吉川
- 文献传递
- 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法
- 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃...
- 徐进吉川张光超谢婷婷
- 文献传递
- 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p^+外延片中铜沉淀的影响
- 2012年
- 系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p^+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O_2作为保护气氛时,p^+衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N_2作为保护气氛时,重掺硼p^+衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O_2作为保护气时引入的自间隙硅原子(Si_I)可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N_2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p^+外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.
- 吉川徐进
- 关键词：点缺陷外延片
- 铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响
- 2012年
- 研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.高三步洁净区生成热处理样品中,第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面.而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成.研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因.另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度.对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.
- 王永志徐进王娜婷吉川张光超
- 关键词：直拉单晶硅
