徐进
- 作品数：17 被引量：103H指数：5
- 供职机构：厦门大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响被引量：5
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法制备了CdS-ZnO复合纳米颗粒,通过把纳米颗粒旋涂在叉枝Au电极上,制得传感器元件来研究CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响.利用X射线衍射研究了CdS-ZnO纳米颗粒的相结构,研究表明当CdS含量为1%与3%时,ZnO纳米颗粒的结晶度相对较好.透射电镜研究表明:CdS掺杂后,ZnO颗粒仍处在纳米尺度范围,大小约为10 nm,同时小的纳米颗粒容易团聚在一起,形成大小约为200 nm的纳米球.通过对CdS-ZnO纳米颗粒传感器气敏性能的系统研究,发现当CdS纳米颗粒的含量为3%时,传感器在室温下对NH3气体的灵敏度和选择性较好,且重复性较好.最后初步讨论了CdS掺杂的ZnO气体传感器与NH3气体相互作用的气敏机理.
- 徐进汤会香
- 关键词：氧化锌传感器透射电镜
- 直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究
- 2013年
- 本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂质铜,然后对样品分别进行普通热处理和快速热处理,通过腐蚀和光学显微镜研究发现,在700℃引入铜杂质后经过普通热处理和快速热处理都不会破坏洁净区,在900℃和1100℃引入铜杂质后经过普通热处理不会破坏洁净区,而经过快速热处理会破坏洁净区.研究表明,快速热处理可以使硅片体内产生大量的空位,空位的外扩散是破坏洁净区的主要原因.
- 张光超徐进
- 关键词：直拉单晶硅
- 太阳能电池用球形银颗粒的液相法制备研究
- 2024年
- 本工作以硝酸银为银前驱体,抗坏血酸为还原剂,结合表面活性剂的作用,制备了平均粒径为(1.88±0.25)μm的球形银颗粒,同时,研究了还原体系中表面活性剂对银颗粒形貌及尺寸分布的影响,结果表明,柠檬酸三钠能够促进片状纳米银的形成。片状纳米银在长链表面活性剂(阿拉伯树胶、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇4000的质量比为4∶1∶1)存在时能够发生有序的自组装,得到表面相对光滑、粒径分布均匀的高球形度银颗粒。抗坏血酸的还原能力随着pH值的增加而逐渐增强。此外,本工作将所得银颗粒与有机载体及玻璃粉混合,通过丝网印刷于硅基底上,850℃烧结后,得到电阻率为3.11μΩ·cm的导电厚膜。
- 叶慧沈天成陈远志徐进
- 关键词：晶体生长
- 白光LED用荧光材料Sr_3B_2O_6∶Eu^(3+),Na^+的制备及发光性能被引量：20
- 2011年
- 采用高温固相法合成了可用于白光LED的Sr3B2O6∶Eu3+,Na+荧光粉。研究了煅烧时间、稀土Eu3+掺杂量等条件对材料发光性能的影响。结果表明:适量掺入Eu3+、Na+之后,基质的晶格结构未发生变化;稀土Eu3+掺杂摩尔分数为6%,煅烧时间为3 h时最佳;作为电荷补偿剂的Na+的引入,较大地提高了荧光粉发光强度。该荧光粉可被394 nm近紫外光激发,在615 nm处红光发射最强,是一种潜在的近紫外白光LED用荧光材料。
- 王荣徐进陈朝
- 关键词：高温固相法红色荧光粉白光LED
- A位取代对ZnO-0．5SiO2陶瓷烧结特性和介电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用常规固相反应法,以ZnO-0.5Si O2体系为基体成分,研究了A位取代ZnO-0.5Si O2陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律.结果表明:Mg在一定范围内A位取代ZnO-0.5Si O2中的Zn可形成(Zn1-x,Mgx)2Si O4固溶体,x(Mg)最大固溶度不超过0.5.当取代量超过固溶度后,出现Mg2Si O4和Mg2Si O3相.x(Mg)≤0.5,陶瓷介电常数变化不大,品质因子较高;x(Mg)>0.5时,陶瓷介电常数增大,品质因子急剧下降.研究还揭示了(Zn1-x,Mgx)2Si O4(x=0.1~0.3)陶瓷在1 275℃烧结具有良好的介电性能,其介电常数为6.19~6.23,品质因子为48 000~53 000 GHz,频率温度系数为-50×10-6^-60×10-6/℃.
- 徐进李福龙张启龙
- 关键词：微波介质陶瓷介电性能低介电常数
- 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p^+外延片中铜沉淀的影响
- 2012年
- 系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p^+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O_2作为保护气氛时,p^+衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N_2作为保护气氛时,重掺硼p^+衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O_2作为保护气时引入的自间隙硅原子(Si_I)可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N_2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p^+外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.
- 吉川徐进
- 关键词：点缺陷外延片
- 直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响被引量：6
- 2003年
- 研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷 (BMD)密度与高温形核时间的变化关系 ,同时用透射电子显微镜 (TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构 .实验结果表明高温退火后氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用 ,在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应的普通直拉硅 .这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体 (N V O)促进了氧沉淀的形核 ,而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状 ,周围存在应力场 .
- 蒋乐杨德仁余学功马向阳徐进阙端麟
- 关键词：直拉硅单晶掺氮氧沉淀超大规模集成电路
- 纳米硅管
- 使用模板和化学气相沉积技术,我们成功获得纳米硅管.其直径约为60纳米,长度约为5微米.管壁结构大部分为多晶.
- 沙健牛俊杰马向阳徐进杨青杨德仁张孝彬
- 关键词：纳米材料
- 文献传递网络资源链接
- PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究被引量：55
- 2004年
- 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。
- 王晓泉汪雷席珍强徐进崔灿杨德仁
- 关键词：太阳电池PECVD氮化硅
- 直拉硅中氧沉淀的TEM研究被引量：1
- 2002年
- 论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系。对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进行了讨论。
- 徐进杨德仁马向阳阙端麟
- 关键词：直拉硅氧沉淀TEM透射电镜大规模集成电路
