龚启兵
- 作品数：8 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术军事自动化与计算机技术更多>>
- 面阵焦平面阵列积分方式的研究被引量：1
- 2002年
- 研究了面阵焦平面阵列的两种积分工作方式:先积分后读出方式和边积分边读出方式。对两种积分方式及其优缺点进行了分析与比较,给出了焦平面阵列在两种积分方式下的性能测试,为面阵焦平面阵列两种积分方式的应用提供了重要的参考依据。
- 王巍龚启兵
- 关键词：红外焦平面阵列INSB
- 积分时间和工作电压对焦平面探测器性能的影响被引量：3
- 2006年
- 测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了使焦平面探测器综合性能较高的积分时间和工作电压的取值区间,为设计CTIA型读出电路提供了参考依据。
- 王巍龚启兵林磊傅跃农郭强
- 关键词：CTIA读出电路焦平面阵列INSB
- 混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制被引量：4
- 2001年
- InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件。
- 张国栋龚启兵
- 关键词：FPAPECVDSIOX红外探测器
- 增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施被引量：2
- 2001年
- 主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高五连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等。文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上。
- 张国栋王海珍龚启兵宋红东
- 关键词：焦平面阵列可靠性红外探测器
- 混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究被引量：3
- 2006年
- 介绍了为保证倒装焊接性能，设备所采取的措施。对比了不同形貌铟柱的优缺点，分析了互连可靠性与铟柱高度的关系，介绍了考核互连可靠性的方法。通过互连技术研究，我们实现了较高性能的倒装互连，互连条件选择温度在60℃-140℃范围，压力范围0．1克／铟柱-0．5克／铟柱。互连连通率〉99．9％，互连后的芯片组件在低温（77K）与常温（23℃）间不少于100次的反复冲击的情况下，测试接触性能及InSb二极管性能都无变化，满足了互连器件可靠性要求。
- 张国栋龚启兵苏宏毅王海珍郑克霖
- 关键词：焦平面阵列可靠性
- InSb凝视红外焦平面组件研制和应用被引量：25
- 2002年
- 研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。
- 陈伯良孙维国梁平治郑志伟王正官朱晓池江美玲龚启兵丁瑞军黄水安
- 关键词：INSB焦平面列阵红外探测
- 64×64元InSb凝视红外焦平面探测器研制被引量：1
- 2001年
- 阐述了InSb凝视红外焦平面器件的结构形成、参数设计以及信号噪声的分析,研究了制造中的技术难点及解决途径,给出了所研制的64×64元InSb凝视红外焦平面探测器的测试结果并进行了分析。
- 龚启兵王海珍王巍张国栋吴伟
- 关键词：结构形式参数设计红外探测器
- 非致冷探测器阵列的读出方式
- 2003年
- 介绍了热辐射计型非致冷探测器阵列的几种读出方式,对它们的工作原理及特点进行了分析,为非致冷探测器阵列,以及光导焦平面探测器阵列的研制提供参考。
- 王巍龚启兵
- 关键词：焦平面阵列读出电路信号处理
