王巍
- 作品数：73 被引量：159H指数：8
- 供职机构：西北工业大学航空学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”航天科技创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- NRS4000取指单元的设计被引量：2
- 1998年
- NRS4000是一种采用全正向设计思路的嵌入式32位RISC微处理器，它与Intel80960二进制兼容。本文在对NRS4000体系结构分析研究的基础上，对NRS4000的取指部件的设计作了较详细阐述。
- 王巍高德远
- 关键词：微处理器体系结构
- 垂尾抖振响应的鲁棒-FxLMS主动控制试验被引量：1
- 2021年
- 针对垂尾模型低阶模态抖振响应的主动控制问题,设计鲁棒控制器对次级通道进行反馈式阻尼补偿,建立了多模态的RFxLMS控制器,采用宏纤维复合材料压电作动器,开展了垂尾抖振响应压电主动控制的地面模拟试验。试验结果表明,RFxLMS控制器具有收敛速度快、控制效果好的优点,并且相比于单独的FxLMS控制器或鲁棒控制器,对垂尾抖振响应具有更好的控制效果。进一步开展了垂尾抖振响应主动控制的风洞试验。结果表明,RFxLMS控制器在多个试验工况下均有稳定的控制效果,并提升了控制系统的性能,垂尾抖振受控响应的RMS值比无控响应的RMS值降低了39.7%~48.1%。
- 刘昊王巍金伟牛文超杨智春
- 关键词：鲁棒控制FXLMS算法压电作动器
- 面阵焦平面阵列积分方式的研究被引量：1
- 2002年
- 研究了面阵焦平面阵列的两种积分工作方式:先积分后读出方式和边积分边读出方式。对两种积分方式及其优缺点进行了分析与比较,给出了焦平面阵列在两种积分方式下的性能测试,为面阵焦平面阵列两种积分方式的应用提供了重要的参考依据。
- 王巍龚启兵
- 关键词：红外焦平面阵列INSB
- 积分时间和工作电压对焦平面探测器性能的影响被引量：3
- 2006年
- 测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了使焦平面探测器综合性能较高的积分时间和工作电压的取值区间,为设计CTIA型读出电路提供了参考依据。
- 王巍龚启兵林磊傅跃农郭强
- 关键词：CTIA读出电路焦平面阵列INSB
- 基于H<Sub>∞</Sub> 鲁棒控制的多点激励力控制器设计方法
- 本发明提出了一种基于H<Sub>∞</Sub>鲁棒控制的多点激励力控制器设计方法，首先设计了用于系统辨识的信号源，采用子空间辨识方法，获得整个系统的状态空间模型，然后利用H<Sub>∞</Sub>鲁棒控制理论设计鲁棒控制...
- 杨智春宋巧治王巍
- 文献传递
- 用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片（英文）
- 2018年
- 相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不同透光率、且交错排列的阵列组成。采用该滤光片后,相连缺陷元的响应电压值是正常单元响应电压的50%,面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别。
- 侯治锦傅莉傅莉司俊杰司俊杰吕衍秋
- 关键词：滤光片
- i960微处理器性能模型设计被引量：1
- 2001年
- 本文讨论了系统性能模型在体系结构设计中的作用 ,研究了高性能微处理器的性能仿真模型设计技术 .系统是基于 i96 0 KA的指令集 ,以超标量流水线技术为基础 ,取代 i96 0 KA的原有的 5级流水线 。
- 李涛高德远樊晓桠张盛兵王巍
- 关键词：微处理器流水线
- CTIA型红外焦平面阵列非均匀性研究被引量：2
- 2011年
- 根据CTIA型红外焦平面阵列的工作原理,分析了非均匀性的来源:探测器芯片、CTIA运算放大器的输入失调电压以及读出电路的积分电容。对这几种因素造成的非均匀性进行了分析、计算和实际测试。最后,提出了使焦平面阵列非均匀性最佳的探测器工作偏置区间。
- 王巍王晶王锦春
- 关键词：非均匀性CTIA读出电路红外焦平面阵列
- InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究被引量：4
- 2018年
- 通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究In Sb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出In Sb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25%.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.
- 侯治锦傅莉傅莉司俊杰司俊杰吕衍秋
- 焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片
- 本发明涉及焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片，本发明提出的相连缺陷元识别方法，将基片处理为一种特殊的具备两种透光率的基片，即在同一基片上，形成具有两种透光率的区域。对于正常元，其响应电压与光敏元所对准的透光率区域...
- 侯治锦司俊杰王巍韩德宽吕衍秋王锦春
- 文献传递
