陈忠浩
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
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- 聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究被引量：1
- 2007年
- 随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.
- 王蓓陈忠浩陆海纬宋云曹永明曾韡
- 关键词：聚焦离子束溅射
- 聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究被引量：3
- 2006年
- 利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。
- 陆海纬陈忠浩王蓓宋云曾韡郑国祥
- 聚焦离子束辐照对MOS晶体管性能的影响
- 2007年
- 聚焦离子束(Focusedionbeam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20μm×20μm和20μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移,辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30%的恢复,而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复。文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释,使实际的电路修补工作最优化,从而确保器件在修补后的可靠性。
- 宋云陆海纬陈忠浩张兆强郑国祥李越生曾韡
- 关键词：聚焦离子束电离辐射阈值电压
- 聚焦离子束淀积Pt薄膜性质的研究
- 聚焦离子束(FIB)是进行亚微米及深亚微米器件进行微分析和微加工研究的强有力工具。FIB淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。利用聚焦离子束淀积Pt薄膜的功能，可以将IC集成电路内部金属连线引出器件表面，使需要...
- 陈忠浩
- 关键词：聚焦离子束
- 文献传递
- 聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究被引量：1
- 2010年
- 聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。
- 陈忠浩宋云曾韡李越生
- 关键词：聚焦离子束淀积
