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陈博贤

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电子器件
  • 2篇电子三极管
  • 2篇真空微电子
  • 2篇真空微电子三...
  • 2篇微电子
  • 1篇等效法
  • 1篇修正系数
  • 1篇真空电子
  • 1篇真空电子器件
  • 1篇真空微电子器...
  • 1篇太赫兹
  • 1篇微电子器件
  • 1篇效法
  • 1篇关系式
  • 1篇赫兹
  • 1篇二极管
  • 1篇次方
  • 1篇THZ

机构

  • 3篇中国科学院电...
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 3篇陈博贤
  • 2篇刘光诒
  • 2篇夏善红
  • 1篇苏杰
  • 1篇李宏彦
  • 1篇朱敏慧

传媒

  • 1篇真空电子技术
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第七届中国真...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式被引量：3
2001年
从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。
陈博贤刘光诒夏善红吕永积倪建新
关键词：真空电子器件
真空微电子三极管中电子渡越时间的近似计算方法
采用不同的近似计算方法，对真空微电子三极管中阴极尖端电场强度分布及电子渡越时间进行了研究、分析和比较，找出了几种电子渡越时间近似计算方法的共同点，统一了电子渡越时间的计算公式，画出了供计算用的有关曲线。
陈博贤刘光诒苏杰朱敏慧夏善红
关键词：修正系数等效法真空微电子三极管
真空微电子器件在太赫兹频段应用的可能性
本文在总结平面平行、圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间函数关系式的基础上,计算了这三种不同结构的真空微电子二极管内的电子渡越时间的典型数值,并采用等效真空微电子二极管的方法,近似计算了真空微电子三极管内电子渡越时...
陈博贤夏善红李宏彦刘光诒
关键词：真空微电子器件真空微电子三极管
文献传递
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