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邢建平

作品数：9 被引量：15H指数：3
供职机构：山东工业大学数理系更多>>
发文基金：山东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇气敏
  • 3篇晶格
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇超晶格
  • 2篇气敏薄膜
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇GAAS/A...
  • 1篇电压
  • 1篇电子亲合势
  • 1篇悬挂式
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异质结
  • 1篇砷化镓

机构

  • 9篇山东工业大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 9篇邢建平
  • 4篇宋珂
  • 4篇张福厚
  • 4篇裘南畹
  • 3篇曾一平
  • 2篇李建明
  • 2篇高建华
  • 2篇刘文利
  • 1篇杨立新
  • 1篇李蕾
  • 1篇武长虹

传媒

  • 6篇山东工业大学...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科技通报
  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
悬挂式气敏传感器的热功耗被引量：3
1998年
通过理论和实验相结合的方法，提出了一个适用于悬挂式气敏传感器的热功耗Ｐｈ与工作温度Ｔ０和环境温度Ｔｒ的关系式，并用理论公式和实验数值相结合的方法给出了自然对流换热系数为７～８Ｗ·ｍ２Ｋ－１的结果．
邢建平武长虹张翔高建华裘南畹
关键词：传感器气敏器件温度悬挂式
分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。
宋珂张福厚邢建平曾一平
关键词：分子束外延超晶格砷化镓
采用有效质量法对Al_yGa_（1－y）As／Al_xGa_（1－x）As单量被引量：3
1996年
介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更方便地应用于单量子阱结构的研究．结果表明，理论值（波长７７５ｎｍ）和实验值相吻合．说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法．
张福厚宋珂郝修田邢建平
关键词：异质结半导体激光器
具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制被引量：1
1997年
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度为４００～６００Ａ／ｃｍ２，谱线宽度为５ｎｍ。
张福厚宋珂邢建平郝修田曾一平
关键词：超晶格半导体激光器
测试电压和湿度对气敏特性的影响被引量：2
1998年
对影响金属氧化物薄膜气敏元件测量可靠性的因素——测试电压ＶＴ和湿度［Ｈ２Ｏ］进行了实验研究：给出了灵敏度Ｓｎ随测试电压ＶＴ变化的曲线，得出了存在一个Ｓｎ稳定的测试电压区间；给出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化曲线的形式，得出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化的相对起伏是大的结果；研究了相对灵敏度Ｓｎ′≡Ｓｎ（Ｃ０）／Ｓｎ（Ｃｓ），得出了Ｓｎ′基本不随湿度变化的结果．
杨立新邢建平刘援朝高建华李蕾
关键词：电压灵敏度气敏元件气敏特性
气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）──实验结果与讨论被引量：6
1995年
本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－享希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论．提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法．还就密闭测试室的过冲驰豫现象进行了分析讨论．
郝丕柱邢建平管振林李建明刘文利裘南畹
关键词：表面化学扩散气敏薄膜
分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．
宋珂张福厚邢建平曾一平
关键词：分子束外延缓冲层超晶格半导体激光器
气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅰ）基本理论被引量：5
1994年
根据一些气敏材料显微结构的数据，提出了电导响应的扩散反应模型，并以此为依据建立了理论和薄膜样品的扩散反应方程；根据两类常用的气敏电导测试设备的不同边值条件，解出了还原气体的浓度在扩散反应过程的时空特征。为了使理论同实验相对照，又提出了多晶多孔结构晶粒联接电导的模型，并以此为根据建立了气敏电导的传感理论，导出了薄膜型样品可供与实验结果对照的电导响应的规律和特征。
管振林邢建平郝丕柱李建明刘文利裘南畹
关键词：半导体气敏材料
金属氧化物半导体电子亲合势的确定被引量：1
1993年
电子亲合势是半导体能带结构中的重要参数,对研究光电池、异质结、衬底或电极对样品的影响有重要意义,然而这个参数目前尚无法直接测定。近年来,我们以SiO_2和Al_2O_3为衬底研究了多种不同结构、不同厚度、不同组分的金属氧化物薄膜。在查找SiO_2和Al_2O_3的电子亲合势中,发现它们目前尚无确定的参数。
郝丕柱邢建平裘南畹
关键词：金属氧化物半导体
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